Comparative Studies of Crystal Field Effects inYbCoGaO4 and YbMgGaO4 Single Crystals

dc.citation.conferenceМіжнародна наукова конференція "Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування"
dc.citation.epage175
dc.citation.journalTitleОксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування : збірник тез міжнародної наукової конференції
dc.citation.spage175
dc.contributor.affiliationInstitute of Physics PAS, al.Lotnikow 32/46, 02-668 Warsaw, Poland
dc.contributor.affiliationThe Department of Physics and Astronomy, McMaster University, Hamilton, Ontario, Canada
dc.contributor.authorRadelytskyi, I.
dc.contributor.authorZajarniuk, T.
dc.contributor.authorSzewczyk, A.
dc.contributor.authorGutowska, M.
dc.contributor.authorDabkowska, H. A.
dc.contributor.authorFink-Finowicki, J.
dc.contributor.authorAleshkevych, P.
dc.contributor.authorZhydachevskyy, Ya.
dc.contributor.authorTsiumra, V.
dc.contributor.authorSzymczak, H.
dc.coverage.placenameЛьвів
dc.coverage.placenameLviv
dc.coverage.temporal29 травня–2 червня, 2017 Львів, Україна
dc.coverage.temporalMay 29–June 2, 2017 Lviv, Ukraine
dc.date.accessioned2018-04-02T13:40:19Z
dc.date.available2018-04-02T13:40:19Z
dc.date.created2017-05-29
dc.date.issued2017-05-29
dc.format.extent175
dc.format.pages1
dc.identifier.citationComparative Studies of Crystal Field Effects inYbCoGaO4 and YbMgGaO4 Single Crystals / I. Radelytskyi, T. Zajarniuk, A. Szewczyk, M. Gutowska, H. A. Dabkowska, J. Fink-Finowicki, P. Aleshkevych, Ya. Zhydachevskyy, V. Tsiumra, H. Szymczak // Oxide Materials for Electronic Engineering – fabrication, properties and applications : book of abstracts international conference, May 29–June 2, 2017 Lviv, Ukraine. — Lviv, 2017. — P. 175. — (5 materials for quantum and optoelectronics and detectors of radiation).
dc.identifier.citationenComparative Studies of Crystal Field Effects inYbCoGaO4 and YbMgGaO4 Single Crystals / I. Radelytskyi, T. Zajarniuk, A. Szewczyk, M. Gutowska, H. A. Dabkowska, J. Fink-Finowicki, P. Aleshkevych, Ya. Zhydachevskyy, V. Tsiumra, H. Szymczak // Oxide Materials for Electronic Engineering – fabrication, properties and applications : book of abstracts international conference, May 29–June 2, 2017 Lviv, Ukraine. — Lviv, 2017. — P. 175. — (5 materials for quantum and optoelectronics and detectors of radiation).
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/40062
dc.language.isoen
dc.relation.ispartofОксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування : збірник тез міжнародної наукової конференції, 2017
dc.relation.ispartofOxide Materials for Electronic Engineering – fabrication, properties and applications : book of abstracts international conference, 2017
dc.relation.referencesen[1] Joseph A. M. Paddison, Marcus Daum, Zhiling Dun, Georg Ehlers, Yaohua Liu, Matthew B. Stone, Haidong Zhou and Martin Mourigal, Nature Physics 13 (2017) 117.
dc.relation.referencesen[2] Yuesheng Li, Haijun Liao, Zhen Zhang, Shiyan Li, Feng Jin, Langsheng Ling, Lei Zhang, Youming Zou, Li Pi, Zhaorong Yang, Junfeng Wang, Zhonghua Wu & Qingming Zhang, Scientific Reports 1 (2015).
dc.relation.referencesen[3] H. A. Dabkowska, B. D. Gaulin, in International School on Crystal Growth of Technologically Important Electronic Materials, Ed. K. Byrappa, Allied Publishers, 2003.
dc.relation.referencesen[4] Yuesheng Li, Devashibhai Adroja, Robert I. Bewley, David Voneshen, Alexander A. Tsirlin, Philipp Gegenwart, and Qingming Zhang, Phys. Rev. Lett. 118 (2017) 107202.
dc.relation.referencesen[5] Y. Xu, J. Zhang, Y. S. Li, Y. J. Yu, X. C. Hong, Q. M. Zhang, and S. Y. Li, Phys. Rev. Lett. 117 (2016)267202.
dc.relation.referencesen[6] I. Radelytskyi, PhD thesis (2016).
dc.rights.holder© Національний університет “Львівська політехніка”, 2017
dc.titleComparative Studies of Crystal Field Effects inYbCoGaO4 and YbMgGaO4 Single Crystals
dc.typeConference Abstract

Files

Original bundle

Now showing 1 - 2 of 2
Thumbnail Image
Name:
OMEE_2017_Radelytskyi_I-Comparative_Studies_of_175.pdf
Size:
50.25 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Thumbnail Image
Name:
OMEE_2017_Radelytskyi_I-Comparative_Studies_of_175__COVER.png
Size:
868.81 KB
Format:
Portable Network Graphics

License bundle

Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
3.03 KB
Format:
Plain Text
Description: