Механізми струмопереносу в ізотипних гетероструктурах n-CdIn2Te4/n-SnS2
Loading...
Files
Date
2009
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Національного університету «Львівська політехніка»
Abstract
The authors created n-CdIn2Te4/n-SnS2 heterojunction by deposition over optical contact, investigated
temperature evolution of its current-voltage curves under the
forward bias U ≤ 3V. Analyzing temperature dependence of
the curves obtained, the main mechanisms of current transport
through the semiconductor contact were determined, allowing prediction of successful possible applications of the
heterojunction studied under high temperatures and elevated
radiation due to the parameters of the base semiconductors
and the diode structure itself.
Description
Keywords
heterojunction, n-CdIn2Te4/n-SnS2, optical contact, current-voltage curve, current transport mechanisms
Citation
Механізми струмопереносу в ізотипних гетероструктурах n-CdIn2Te4/n-SnS2 / Петро Горлей, Зінаїна Грушка, Олена Грушка, Іван Заболоцький // Енергетика та системи керування : матеріали I Міжнародної конференції молодих вчених EPECS-2009, 14–16 травня 2009 року, Україна, Львів / Національний університет "Львівська політехніка". – Львів : Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2009. – С. 14–15. – (Міжнародний молодіжний фестиваль науки "Litteris et Artibus"). – Бібліографія: 5 назв.