Механізми струмопереносу в ізотипних гетероструктурах n-CdIn2Te4/n-SnS2

No Thumbnail Available

Date

2009

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Publisher

Видавництво Національного університету «Львівська політехніка»

Abstract

The authors created n-CdIn2Te4/n-SnS2 heterojunction by deposition over optical contact, investigated temperature evolution of its current-voltage curves under the forward bias U ≤ 3V. Analyzing temperature dependence of the curves obtained, the main mechanisms of current transport through the semiconductor contact were determined, allowing prediction of successful possible applications of the heterojunction studied under high temperatures and elevated radiation due to the parameters of the base semiconductors and the diode structure itself.

Description

Keywords

heterojunction, n-CdIn2Te4/n-SnS2, optical contact, current-voltage curve, current transport mechanisms

Citation

Механізми струмопереносу в ізотипних гетероструктурах n-CdIn2Te4/n-SnS2 / Петро Горлей, Зінаїна Грушка, Олена Грушка, Іван Заболоцький // Енергетика та системи керування : матеріали I Міжнародної конференції молодих вчених EPECS-2009, 14–16 травня 2009 року, Україна, Львів / Національний університет "Львівська політехніка". – Львів : Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2009. – С. 14–15. – (Міжнародний молодіжний фестиваль науки "Litteris et Artibus"). – Бібліографія: 5 назв.