LPE growth and luminescent properties of Ce doped A2SiO5:Ce (A = Lu, Gd, Y) single crystalline films

Loading...
Thumbnail Image

Date

2012

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Publisher

Видавництво Львівської політехніки

Abstract

The report is dedicated to development of scintillators based on the single crystalline films of Lu2SiO5 (LSO), (LuxGd1-x)2SiO5 (LGSO) and Y2SiO5 (YSO) orthosilicates grown by Liquid Phase Epitaxy (LPE) methods. We also compare the luminescent and scintillation properties of Ce doped LSO and YSO SCFs with the properties of their single crystal counterparts, growth by Czochralski method.

Description

Keywords

Lu2SiO5:Ce, (Lu1-xGdx)2SiO5:Ce Y2SiO5:Ce, single crystalline film, single crystal, luminescence

Citation

LPE growth and luminescent properties of Ce doped A2SiO5:Ce (A = Lu, Gd, Y) single crystalline films / Y. Zorenko, V. Gorbenko, V. Savchyn. T. Voznyak, B. Grinyov, O. Sidletskiy, A. Fedorov, I. Gerasymov, V. Jary, J. Mares, A. Beitlerova, M. Nikl // Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (ОМЕЕ – 2012) : збірник матеріалів міжнародної наукової конференції, 3-7 вересня 2012 року, Львів, Україна / Національний університет “Львівська політехніка”. – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – С. 239–240. – Bibliography: 5 titles.

Endorsement

Review

Supplemented By

Referenced By