LPE growth and luminescent properties of Ce doped A2SiO5:Ce (A = Lu, Gd, Y) single crystalline films
No Thumbnail Available
Date
2012
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Львівської політехніки
Abstract
The report is dedicated to development of
scintillators based on the single crystalline films of Lu2SiO5 (LSO), (LuxGd1-x)2SiO5 (LGSO) and Y2SiO5 (YSO)
orthosilicates grown by Liquid Phase Epitaxy (LPE) methods. We also compare the luminescent and scintillation properties of Ce doped LSO and YSO SCFs with the
properties of their single crystal counterparts, growth by Czochralski method.
Description
Keywords
Lu2SiO5:Ce, (Lu1-xGdx)2SiO5:Ce Y2SiO5:Ce, single crystalline film, single crystal, luminescence
Citation
LPE growth and luminescent properties of Ce doped A2SiO5:Ce (A = Lu, Gd, Y) single crystalline films / Y. Zorenko, V. Gorbenko, V. Savchyn. T. Voznyak, B. Grinyov, O. Sidletskiy, A. Fedorov, I. Gerasymov, V. Jary, J. Mares, A. Beitlerova, M. Nikl // Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (ОМЕЕ – 2012) : збірник матеріалів міжнародної наукової конференції, 3-7 вересня 2012 року, Львів, Україна / Національний університет “Львівська політехніка”. – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – С. 239–240. – Bibliography: 5 titles.