Defect-Related Effects in the Modified Chalcogenide Glasses Caused by Gamma-Irradiation

Simple item page
dc.citation.conferenceМіжнародна наукова конференція "Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування"
dc.citation.epage173
dc.citation.journalTitleОксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування : збірник тез міжнародної наукової конференції
dc.citation.spage173
dc.contributor.affiliationLviv Polytechnic National University, 12 Bandera Str., 79013 Lviv, Ukraine
dc.contributor.affiliationVlokh Institute of Physical Optics, 23 Dragomanov Str., 79005 Lviv, Ukraine
dc.contributor.affiliationJan Dlugosz University, 13/15 al. Armii Krajowej, Czestochowa 42201, Poland
dc.contributor.affiliationOpole University of Technology, 75 Ozimska Str., Opole 45370, Poland
dc.contributor.affiliationEquipe Verres et Céramiques, UMR-CNRS 6226, Institute des Sciences chimiques de Rennes
dc.contributor.affiliationUniversité de Rennes 1, 35042 Rennes Cedex, France
dc.contributor.authorKlym, H.
dc.contributor.authorShpotyuk, O.
dc.contributor.authorIngram, A.
dc.contributor.authorCalvez, L.
dc.coverage.placenameЛьвів
dc.coverage.placenameLviv
dc.coverage.temporal29 травня–2 червня, 2017 Львів, Україна
dc.coverage.temporalMay 29–June 2, 2017 Lviv, Ukraine
dc.date.accessioned2018-04-02T13:40:17Z
dc.date.available2018-04-02T13:40:17Z
dc.date.created2017-05-29
dc.date.issued2017-05-29
dc.format.extent173
dc.format.pages1
dc.identifier.citationDefect-Related Effects in the Modified Chalcogenide Glasses Caused by Gamma-Irradiation / H. Klym, O. Shpotyuk, A. Ingram, L. Calvez // Oxide Materials for Electronic Engineering – fabrication, properties and applications : book of abstracts international conference, May 29–June 2, 2017 Lviv, Ukraine. — Lviv, 2017. — P. 173. — (5 materials for quantum and optoelectronics and detectors of radiation).
dc.identifier.citationenDefect-Related Effects in the Modified Chalcogenide Glasses Caused by Gamma-Irradiation / H. Klym, O. Shpotyuk, A. Ingram, L. Calvez // Oxide Materials for Electronic Engineering – fabrication, properties and applications : book of abstracts international conference, May 29–June 2, 2017 Lviv, Ukraine. — Lviv, 2017. — P. 173. — (5 materials for quantum and optoelectronics and detectors of radiation).
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/40060
dc.language.isoen
dc.relation.ispartofОксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування : збірник тез міжнародної наукової конференції, 2017
dc.relation.ispartofOxide Materials for Electronic Engineering – fabrication, properties and applications : book of abstracts international conference, 2017
dc.relation.referencesen[1] P. Masselin, D. Le Coq, L. Calvez, E. Petracovschi, E. Lepine, E. Bychkov, X. Zhang, CsCl effect on the optical properties of the 80GeS2–20Ga2S3 base glass, Appl. Phys. A 106 (2012) 697-702.
dc.relation.referencesen[2] H. Klym, A. Ingram, O. Shpotyuk, O. Hotra, A.I. Popov, Positron trapping defects in free-volume investigation of Ge-Ga-S-CsCl glasses, Radiation Measurements 90 (2016) 117-121.
dc.rights.holder© Національний університет “Львівська політехніка”, 2017
dc.titleDefect-Related Effects in the Modified Chalcogenide Glasses Caused by Gamma-Irradiation
dc.typeConference Abstract

Files

Original bundle

Now showing 1 - 2 of 2
Thumbnail Image
Name:
OMEE_2017_Klym_H-Defect_Related_Effects_in_the_173.pdf
Size:
45.7 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Download
Thumbnail Image
Name:
OMEE_2017_Klym_H-Defect_Related_Effects_in_the_173__COVER.png
Size:
1.22 MB
Format:
Portable Network Graphics
Download

License bundle

Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
2.92 KB
Format:
Plain Text
Description:
Download

Collections

Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (OMEE-2017). – 2017 р.