Модифікація електрофізичних властивостей епітаксійних шарів РbТе в умовах низькоенергетичного бомбардування
dc.citation.journalTitle | Електроніка | |
dc.contributor.affiliation | Національний університет “Львівська політехніка” | uk_UA |
dc.contributor.affiliation | Кременчуцький державний політехнічний інститут | uk_UA |
dc.contributor.affiliation | Львівський науково-дослідний інститут матеріалів НВП “Карат” | uk_UA |
dc.contributor.author | Берченко, M. M. | |
dc.contributor.author | Богобоящий, В. В. | |
dc.contributor.author | Іжнін, І. І. | |
dc.contributor.author | Савицький, Г. В. | |
dc.contributor.author | Юденков, В. О. | |
dc.coverage.country | UA | uk_UA |
dc.coverage.placename | Львів | uk_UA |
dc.date.accessioned | 2018-08-16T07:50:04Z | |
dc.date.available | 2018-08-16T07:50:04Z | |
dc.date.issued | 2001 | |
dc.description.abstract | Вперше експериментально досліджено вплив низькоенергетичних іонів Аг в процесі іонно-променевого травлення (ІПТ) на електрофізичні властивості епітаксійних шарів РbТе p-типу та n-типу провідності. Показано, що така обробка призводить до p-n конверсії типу провідності в р-РbТе та зростаннюя концентрації електронів в n-РЬТе при зменшенні їх рухливості. Зміни властивостей відбуваються по усій товщині епітаксійних шарів (приблизно 2 мкм). Характер змін електрофізичних властивостей свідчить про введення в процесі ІПТ додаткових донорних центрів, пов’язаних з виникненням надлишкового свинцю. Механізми перебудови системи дефектів в РbТе при ІПТ докорінним чином відрізняється від таких у CdxHg1-xTe. The influence of low energy Ar ions under ion beam milling (IBM) on electrical properties of p-and n-type conductivity of the PbTe epitaxial layers was experimentally investigated for the first time. It has been shown that such treatment causes the p-n type conductivity conversion in p-PbTe and increasing of electron concentration in n- PbTe at decreasing their mobility. The property modification takes place at whole depth of epitaxial layers (approximately 2 µm). The electrical properties change behavior evidences the introducing under IBM the additional amount of donor centers connected with lead excess. The mechanism of defect rebuilding in PbTe under IBM distinguishes radically from the same in CdxHg1-xTe. | uk_UA |
dc.format.pages | 3–7 | |
dc.identifier.citation | Модифікація електрофізичних властивостей епітаксійних шарів РbТе в умовах низькоенергетичного бомбардування / M. M. Берченко, В. В. Богобоящий, І. І. Іжнін, Г. В. Савицький, В. О. Юденков // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2001. – № 423 : Електроніка. – С. 3–7. – Бібліографія: 13 назв. | uk_UA |
dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/42490 | |
dc.language.iso | uk | uk_UA |
dc.publisher | Видавництво Національного університету "Львівська політехніка" | uk_UA |
dc.relation.references | 1. Wfotherspoon J.T.M. // UK Patent M GB 2095898, l98l. 2. Siliquini J.F., Dell J.M., Musca C.A, Faraone L., Piotrowski J. II J.Cryst.Growth., 1998. 184I185. P.1219-1222. 3. Rolland S., Granger R., Triboulet R II J.Cryst.Growth, 1992. 11l. P.208-212. 4. Belas E., Grill R, Franc J., Toth A, Höschl P., Sitter H., Moravec P. II J.Cryst.Growth, 1996. 159. P.1111-1122. 5. Бoгoбoящuй B.B., Ижнш И.И. // ^ве^ш Byзoв. Фтша, 2000.- M 4З.- C.l6-25. 6. Palmetshofer L., Vierlinger E., Heinrich H., Haas L.D. II J.Appl.Phys., 1918. 49. P.1128-1130. 7. Гейман К.И., Заcавuцкuй И.И., Mаmвeeнкo A.B., ROIO\ AM. // ФТП, l979. ІЗ. C.887-890. 8. Mаmвeeнкo A.B., Медведев Ю.В., Бepчeнкo H.H. // Заpyбeжная элeкmpoнная mexнuка, l982.- M ll.- C.54-ll5. 9. Kubiak RA., Parker E.H.C., King RM., Wittmaack K II J.Vac.Sci.Technol., l983. Al. P.34-40. l0. Заячyк >.M., Шeндepoвcькuй B.A. // УФЖ, 1991.— M 36.- C.l692-l7l3. 11. Piotrowski J., Rogalski A. Polprzewodnikowe detektory podczerwieni.- W&rszswa, 1985. ^^pern >.M., Пpoкoniв B.B., Галyщак M.O., Пщ M.B., MаmeïкГ.Д. Kpucmалoxiмiя i mepмoдuнамiка аюмнш дeфeкmiв y cnoлyкаx AB.- Jванo-Фpанкiвcьк, 2000. l3. Бoгoбoящuй B.B., Bлаcoв A.П., Ижшн И.И. // Извеcm^ Byзoв. Фтша, 200l.- M 44.- C. 50—59. | uk_UA |
dc.rights.holder | © Берченко M.M., Богобоящий В.В., Іжнін І.І., Савицький Г.В., Юденков В. О., 2001 | uk_UA |
dc.subject.udc | 621.315.592 | uk_UA |
dc.title | Модифікація електрофізичних властивостей епітаксійних шарів РbТе в умовах низькоенергетичного бомбардування | uk_UA |
dc.title.alternative | Modification odification of electrical properties of PbTe epitaxial layers under low energy bombardment | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Files
Original bundle
1 - 1 of 1