Модифікація електрофізичних властивостей епітаксійних шарів РbТе в умовах низькоенергетичного бомбардування

dc.citation.journalTitleЕлектроніка
dc.contributor.affiliationНаціональний університет “Львівська політехніка”uk_UA
dc.contributor.affiliationКременчуцький державний політехнічний інститутuk_UA
dc.contributor.affiliationЛьвівський науково-дослідний інститут матеріалів НВП “Карат”uk_UA
dc.contributor.authorБерченко, M. M.
dc.contributor.authorБогобоящий, В. В.
dc.contributor.authorІжнін, І. І.
dc.contributor.authorСавицький, Г. В.
dc.contributor.authorЮденков, В. О.
dc.coverage.countryUAuk_UA
dc.coverage.placenameЛьвівuk_UA
dc.date.accessioned2018-08-16T07:50:04Z
dc.date.available2018-08-16T07:50:04Z
dc.date.issued2001
dc.description.abstractВперше експериментально досліджено вплив низькоенергетичних іонів Аг в процесі іонно-променевого травлення (ІПТ) на електрофізичні властивості епітаксійних шарів РbТе p-типу та n-типу провідності. Показано, що така обробка призводить до p-n конверсії типу провідності в р-РbТе та зростаннюя концентрації електронів в n-РЬТе при зменшенні їх рухливості. Зміни властивостей відбуваються по усій товщині епітаксійних шарів (приблизно 2 мкм). Характер змін електрофізичних властивостей свідчить про введення в процесі ІПТ додаткових донорних центрів, пов’язаних з виникненням надлишкового свинцю. Механізми перебудови системи дефектів в РbТе при ІПТ докорінним чином відрізняється від таких у CdxHg1-xTe. The influence of low energy Ar ions under ion beam milling (IBM) on electrical properties of p-and n-type conductivity of the PbTe epitaxial layers was experimentally investigated for the first time. It has been shown that such treatment causes the p-n type conductivity conversion in p-PbTe and increasing of electron concentration in n- PbTe at decreasing their mobility. The property modification takes place at whole depth of epitaxial layers (approximately 2 µm). The electrical properties change behavior evidences the introducing under IBM the additional amount of donor centers connected with lead excess. The mechanism of defect rebuilding in PbTe under IBM distinguishes radically from the same in CdxHg1-xTe.uk_UA
dc.format.pages3–7
dc.identifier.citationМодифікація електрофізичних властивостей епітаксійних шарів РbТе в умовах низькоенергетичного бомбардування / M. M. Берченко, В. В. Богобоящий, І. І. Іжнін, Г. В. Савицький, В. О. Юденков // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2001. – № 423 : Електроніка. – С. 3–7. – Бібліографія: 13 назв.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/42490
dc.language.isoukuk_UA
dc.publisherВидавництво Національного університету "Львівська політехніка"uk_UA
dc.relation.references1. Wfotherspoon J.T.M. // UK Patent M GB 2095898, l98l. 2. Siliquini J.F., Dell J.M., Musca C.A, Faraone L., Piotrowski J. II J.Cryst.Growth., 1998. 184I185. P.1219-1222. 3. Rolland S., Granger R., Triboulet R II J.Cryst.Growth, 1992. 11l. P.208-212. 4. Belas E., Grill R, Franc J., Toth A, Höschl P., Sitter H., Moravec P. II J.Cryst.Growth, 1996. 159. P.1111-1122. 5. Бoгoбoящuй B.B., Ижнш И.И. // ^ве^ш Byзoв. Фтша, 2000.- M 4З.- C.l6-25. 6. Palmetshofer L., Vierlinger E., Heinrich H., Haas L.D. II J.Appl.Phys., 1918. 49. P.1128-1130. 7. Гейман К.И., Заcавuцкuй И.И., Mаmвeeнкo A.B., ROIO\ AM. // ФТП, l979. ІЗ. C.887-890. 8. Mаmвeeнкo A.B., Медведев Ю.В., Бepчeнкo H.H. // Заpyбeжная элeкmpoнная mexнuка, l982.- M ll.- C.54-ll5. 9. Kubiak RA., Parker E.H.C., King RM., Wittmaack K II J.Vac.Sci.Technol., l983. Al. P.34-40. l0. Заячyк >.M., Шeндepoвcькuй B.A. // УФЖ, 1991.— M 36.- C.l692-l7l3. 11. Piotrowski J., Rogalski A. Polprzewodnikowe detektory podczerwieni.- W&rszswa, 1985. ^^pern >.M., Пpoкoniв B.B., Галyщак M.O., Пщ M.B., MаmeïкГ.Д. Kpucmалoxiмiя i mepмoдuнамiка аюмнш дeфeкmiв y cnoлyкаx AB.- Jванo-Фpанкiвcьк, 2000. l3. Бoгoбoящuй B.B., Bлаcoв A.П., Ижшн И.И. // Извеcm^ Byзoв. Фтша, 200l.- M 44.- C. 50—59.uk_UA
dc.rights.holder© Берченко M.M., Богобоящий В.В., Іжнін І.І., Савицький Г.В., Юденков В. О., 2001uk_UA
dc.subject.udc621.315.592uk_UA
dc.titleМодифікація електрофізичних властивостей епітаксійних шарів РbТе в умовах низькоенергетичного бомбардуванняuk_UA
dc.title.alternativeModification odification of electrical properties of PbTe epitaxial layers under low energy bombardmentuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
2_3-7.pdf
Size:
136 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description: