Вплив двійникової структури на провідність в LSGM

Abstract

Методом імпедансної спектроскопії було виявлено два механізми іонної провідності в пластині кристала La0.95Sr0.05Ga0.9Mg0.1O3-x (LSGM) а саме, провідність за об’ємом матеріалу та вздовж двійникових границь. Використовуючи метод поліхроматичної дифракції рентгенівського синхротронного випромінювання, було встановлено розподіл та орієнтацію цих границь піcля механічного та температурного оброблень. Ідентифіковано властиву для цього кристала шевроноподібну конфігурацію доменної структури, яка утворюється перетином стінок W-типу (121), (101) та (12 1). Показано можливість підвищення іонної провідності матеріалів на основі LSGM зміною їх доменної структури під дією механічних напружень. Two mechanisms of ionic conductivity, namely bulk and grain boundary conductivities were detected in crystal plate of La0.95Sr0.05Ga0.9Mg0.1O3-x (LSGM) by impedance spectroscopy method. Distribution of twin walls after mechanical and thermal treatments has been established using polychromatic X-ray synchrotron diffraction method. Chevron-like configuration of domain structure, formed by intersection of W-type walls (121), (101) and (121) has been identified. Possibility of increase of ionic conductivity of LSGM-based materials by changing of theire domain structure using mechanical pressure was shown.