Дослідження імпедансу двозатворних МДН-структур при низьких температурах

Abstract

Вінницький державний педагогічний університет ім. М. Коцюбинського, Вінниця, Україна Наведено результати експериметальних досліджень залежності імпедансу каналу двозатворних МДН- структур з індукованим каналом від частоти змінного сигналу при температурах -85°С,—5°С,—5°С за відсутності зміщень на затворах Проаналізовано фізичні процеси, які встановлюють характер отриманих залежностей. Визначено критерій ефективності використання таких структур для побудови автогенератора их вимірювшіьних перетворювачів. Приведены результаты экспериментальных исследований зависимости импеданса канала двухзатворных МДП-структур с индуцированным каналам от частоты переменного сигнала при температурах -85 пС, -65 пС, —45 пС при отсутствии смещений на затворах. Проанализированы физические процессы, которые определяют характер полученных зависимостей. Определен критерий эффективности использования таких структур для построения автогенераторных измерительных преобразователей. In work the results of experimental researches of dependence of an impedance of the channel of twogate’s MOS- structures with induced by the channel from frequency of a variable signal are given at temperatures -85nC, -65 nC, -45 nC at absence of displacement on gates. The analysis ofphysical processes is carried spent which determine character of the received dependences. The criterion of efficiency of use of such structures for construction of autogenerating measuring converters is determined.