Negative Dynamic Resistance andMemristive Effects in Zincite-Tungsten Semiconductor Junction

Simple item page
dc.citation.conferenceМіжнародна наукова конференція "Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування"
dc.citation.epage118
dc.citation.journalTitleОксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування : збірник тез міжнародної наукової конференції
dc.citation.spage118
dc.contributor.affiliationInstitute of Metrology and Biomedical Engineering
dc.contributor.affiliationWarsaw University of Technology
dc.contributor.affiliationBoboli 8, 02-525 Warsaw, Poland
dc.contributor.affiliationm.nowicki@mchtr.pw.edu.pl, * r.szewczyk@mchtr.pw.edu.pl
dc.contributor.affiliationIndustrial Research Institute for Automation and Measurements PIAP
dc.contributor.affiliationAl. Jerozolimskie 202, 02-486 Warsaw, Poland
dc.contributor.affiliationpnowak@piap.pl
dc.contributor.authorNowicki, M.
dc.contributor.authorNowak, P.
dc.contributor.authorSzewczyk, R.
dc.coverage.placenameЛьвів
dc.coverage.placenameLviv
dc.coverage.temporal29 травня–2 червня, 2017 Львів, Україна
dc.coverage.temporalMay 29–June 2, 2017 Lviv, Ukraine
dc.date.accessioned2018-04-02T13:43:11Z
dc.date.available2018-04-02T13:43:11Z
dc.date.created2017-05-29
dc.date.issued2017-05-29
dc.format.extent118
dc.format.pages1
dc.identifier.citationNowicki M. Negative Dynamic Resistance andMemristive Effects in Zincite-Tungsten Semiconductor Junction / M. Nowicki, P. Nowak, R. Szewczyk // Oxide Materials for Electronic Engineering – fabrication, properties and applications : book of abstracts international conference, May 29–June 2, 2017 Lviv, Ukraine. — Lviv, 2017. — P. 118. — (4 resistivity switching and transport phenomena).
dc.identifier.citationenNowicki M. Negative Dynamic Resistance andMemristive Effects in Zincite-Tungsten Semiconductor Junction / M. Nowicki, P. Nowak, R. Szewczyk // Oxide Materials for Electronic Engineering – fabrication, properties and applications : book of abstracts international conference, May 29–June 2, 2017 Lviv, Ukraine. — Lviv, 2017. — P. 118. — (4 resistivity switching and transport phenomena).
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/40233
dc.language.isoen
dc.relation.ispartofОксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування : збірник тез міжнародної наукової конференції, 2017
dc.relation.ispartofOxide Materials for Electronic Engineering – fabrication, properties and applications : book of abstracts international conference, 2017
dc.relation.referencesen[1] A. Kołodziejczak-Radzimska, T. Jesionowski, Zinc Oxide—From Synthesis to Application: A Review, Materials 7(4) (2014) 2833-2881.
dc.relation.referencesen[2] Ü. Özgür, Y.I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M.A. Reshchikov, S. Dođan, V. Avrutin, S.J. Cho, H. Morkoç, A comprehensive review of ZnO materials and devices, J. Appl. Phys. 98 (2005).
dc.rights.holder© Національний університет “Львівська політехніка”, 2017
dc.titleNegative Dynamic Resistance andMemristive Effects in Zincite-Tungsten Semiconductor Junction
dc.typeConference Abstract

Files

Original bundle

Now showing 1 - 2 of 2
Thumbnail Image
Name:
OMEE_2017_Nowicki_M-Negative_Dynamic_Resistance_118.pdf
Size:
76.42 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Download
Thumbnail Image
Name:
OMEE_2017_Nowicki_M-Negative_Dynamic_Resistance_118__COVER.png
Size:
1.1 MB
Format:
Portable Network Graphics
Download

License bundle

Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
2.91 KB
Format:
Plain Text
Description:
Download

Collections

Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (OMEE-2017). – 2017 р.