Impact of Annealing on Carbon Doped YAG and YAG:Ce Crystals

Simple item page
dc.citation.conferenceМіжнародна наукова конференція "Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування"
dc.citation.epage146
dc.citation.journalTitleОксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування : збірник тез міжнародної наукової конференції
dc.citation.spage146
dc.contributor.affiliationInstitute for Scintillation Material NAS of Ukraine, 60 Lenin Ave., 61001 Kharkiv, Ukraine
dc.contributor.affiliationInstitut Lumière Matière, Lyone, France
dc.contributor.authorArhipov, P.
dc.contributor.authorTkachenko, S.
dc.contributor.authorSidletskiy, O.
dc.contributor.authorVasyukov, S.
dc.contributor.authorGerasymov, I.
dc.contributor.authorLebbou, K.
dc.coverage.placenameЛьвів
dc.coverage.placenameLviv
dc.coverage.temporal29 травня–2 червня, 2017 Львів, Україна
dc.coverage.temporalMay 29–June 2, 2017 Lviv, Ukraine
dc.date.accessioned2018-04-02T13:39:57Z
dc.date.available2018-04-02T13:39:57Z
dc.date.created2017-05-29
dc.date.issued2017-05-29
dc.format.extent146
dc.format.pages1
dc.identifier.citationImpact of Annealing on Carbon Doped YAG and YAG:Ce Crystals / P. Arhipov, S. Tkachenko, O. Sidletskiy, S. Vasyukov, I. Gerasymov, K. Lebbou // Oxide Materials for Electronic Engineering – fabrication, properties and applications : book of abstracts international conference, May 29–June 2, 2017 Lviv, Ukraine. — Lviv, 2017. — P. 146. — (5 materials for quantum and optoelectronics and detectors of radiation).
dc.identifier.citationenImpact of Annealing on Carbon Doped YAG and YAG:Ce Crystals / P. Arhipov, S. Tkachenko, O. Sidletskiy, S. Vasyukov, I. Gerasymov, K. Lebbou // Oxide Materials for Electronic Engineering – fabrication, properties and applications : book of abstracts international conference, May 29–June 2, 2017 Lviv, Ukraine. — Lviv, 2017. — P. 146. — (5 materials for quantum and optoelectronics and detectors of radiation).
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/40030
dc.language.isoen
dc.relation.ispartofОксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування : збірник тез міжнародної наукової конференції, 2017
dc.relation.ispartofOxide Materials for Electronic Engineering – fabrication, properties and applications : book of abstracts international conference, 2017
dc.relation.referencesen[1] P. Arhipov, S. Tkachenko, S. Vasiukov, K. Hubenko, Ia. Gerasymov, V. Baumer, A. Puzan, P. Mateychenko, K. Lebbou, O. Sidletskiy, Features of YAG crystal growth under Ar+CO reducing atmosphere, J. Cryst. Growth 449 (2016) 104-107.
dc.rights.holder© Національний університет “Львівська політехніка”, 2017
dc.titleImpact of Annealing on Carbon Doped YAG and YAG:Ce Crystals
dc.typeConference Abstract

Files

Original bundle

Now showing 1 - 2 of 2
Thumbnail Image
Name:
OMEE_2017_Arhipov_P-Impact_of_Annealing_on_Carbon_146.pdf
Size:
81.43 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Download
Thumbnail Image
Name:
OMEE_2017_Arhipov_P-Impact_of_Annealing_on_Carbon_146__COVER.png
Size:
986.09 KB
Format:
Portable Network Graphics
Download

License bundle

Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
2.95 KB
Format:
Plain Text
Description:
Download

Collections

Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (OMEE-2017). – 2017 р.