Features of the Crystal and Electronic Structures of the Zr1-xYxNiSn Semiconductor
| dc.contributor.author | Krayovskyy, Roman | |
| dc.contributor.author | Romaka, Vitaly | |
| dc.contributor.author | Bovgyra, Oleg | |
| dc.date.accessioned | 2010-06-07T08:56:01Z | |
| dc.date.available | 2010-06-07T08:56:01Z | |
| dc.date.issued | 2009 | |
| dc.description.abstract | Crystal and electronic structures of the heavy, Y impurity, dopez ZrNiSn intermetallic semiconductor (Na=3,8*10/4,8*10cm)were investigated. It is rotined that alloing of n- ZrNiSn is accompaid arrangement of crystalline structure, the atoms of admixture occupy positions of atoms of Zr only, generating the defects of occeptor-type nature. Set area of existence of solid solution of Zr1-xYxNiSn, dependence, between the concentration of solid solution and direction and speed of drift of lever to Fermi, by the transition of conductivity dielectric-metal. | uk_UA |
| dc.identifier.citation | Krayovskyy R. Гама-сканер круговогу огляду з кодуючою маскою / R. Krayovskyy, V. Romaka, O. Bovgyra // Комп'ютерні науки та інженерія : матеріали ІІІ Міжнародної конференції молодих вчених CSE–2009, 14–16 травня 2009 року, Україна, Львів / Національний університет "Львівська політехніка". – Львів : Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2009. – С.339 –340. – ( Міжнародний молодіжний фестиваль науки «Litteris et Artibus»). – Bibliography: 4 titles. | uk_UA |
| dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/4109 | |
| dc.language.iso | en | uk_UA |
| dc.publisher | Видавництво Національного університету «Львівська політехніка» | uk_UA |
| dc.subject | temperature | uk_UA |
| dc.subject | thermometry | uk_UA |
| dc.subject | thermometric element | uk_UA |
| dc.subject | semiconductor | uk_UA |
| dc.title | Features of the Crystal and Electronic Structures of the Zr1-xYxNiSn Semiconductor | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |