Низькотемпературні методи модифікації властивостей CdxHg1-xTe та структур на його основі

Simple item page
dc.citation.journalTitleЕлектроніка
dc.contributor.affiliationНаціональний університет “Львівська політехніка”uk_UA
dc.contributor.affiliationКременчуцький державний політехнічний університетuk_UA
dc.contributor.affiliationЛьвівський національний університетuk_UA
dc.contributor.affiliationЛьвівський науково-дослідний інститут матеріалів НВП “Каратuk_UA
dc.contributor.authorБерченко, М. М.
dc.contributor.authorБогобоящий, В. В.
dc.contributor.authorВласов, А. П.
dc.contributor.authorІжнін, І. І.
dc.contributor.authorЯковина, B. C.
dc.coverage.countryUAuk_UA
dc.coverage.placenameЛьвівuk_UA
dc.date.accessioned2018-09-25T09:48:00Z
dc.date.available2018-09-25T09:48:00Z
dc.date.issued2002
dc.description.abstractРозглянуто результати досліджень вузькощілинних напівпровідників типу CdxHg1-xTe, які знайшли широке застосування при виготовленні приладів оптоелектроніки. Основну увагу приділено визначенню параметрів й властивостей CdxHg1-xTe та границь розділу на його основі і пошуку технологічних процесів, які б дали змогу активно впливати на ці параметри. Для твердих розчинів на основі халькогенідів ртуті встановлено безпосередній зв'язок між особливостями рівноважних фазових діаграм у системах метал-халькоген- кисень і фазовим складом границі розділу напівпровідник-оксид, її механізмом росту, домінуючим типом дефектів і електрофізичними властивостями. Досліджено вплив на властивості матеріалу індукованих імпульсом лазерного випромінювання ударних хвиль та низькоенергетичного іонно-променевого травлення. Запропоновано механізм перебудови дефектної системи як в об'ємі, так і на границях розділу твердих розчинів CdxHg1-xTe під дією ударних хвиль при різних режимах ударної обробки. Встановлено, що іонно-променеве травлення, створюючи на поверхні джерело дифузії міжвузловинної ртуті надзвичайно високої концентрації, дає змогу створити в CdxHg1-xTe нові типи донорів внаслідок взаємодії акцепторних домішок з міжвузловинною ртуттю. This review article summarizes the research of CdxHg1-xTe semiconductors, which have found wide application in optoelectronic devices. The study is mainly focused on determining the properties of CdxHg1-xTe materials and interfaces to develop the technology, which would allow controlling the parameters of devices. The direct relation between the characteristic features of the metal (Hg, Cd, Zn or Mn) - chalcogen (Te, Se) - oxygen equilibrium phase diagram and experimentally discovered phenomena was revealed in Hg-based solid solutions. These include: (1) the phase composition of the growing oxide layer, (2) the predominant type of intrinsic point defects, (3) the possible mechanism of the layer growth, (4) electrical properties of semiconductor-oxide interfaces. The investigation of CdxHg1-xTe behavior under laser shock waves resulted in introducing the mechanism of rebuilding the defect environment caused by this kind of treatment. Another low temperature treatment, i.e. the low energy ion beam milling, involves a specific interaction of acceptor dopants with interstitial Hg atoms creating new types of donors in this material that seems to have good potential in creating quality p-n junctions.uk_UA
dc.format.pages18–28
dc.identifier.citationНизькотемпературні методи модифікації властивостей CdxHg1-xTe та структур на його основі / М. М. Берченко, В. В. Богобоящий, А. П. Власов, І. І. Іжнін, В. С. Яковина // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 459 : Електроніка. – С. 18–28. – Бібліографія: 40 назв.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/42850
dc.language.isoukuk_UA
dc.publisherВидавництво Національного університету "Львівська політехніка"uk_UA
dc.relation.references1. Берченко H.H., Кревс В.E., Средин В.Г. Полупроводниковые твердые растворы и их применение. - М., 1982. - 280 с. 2. Гавалешко Н.П., Горлей П.Н., Шендеровский В.А. Узкозонные полупроводники. Получение и физические свойства. - К., 1984. - 288 с. 3. Любченко А.В., Сальков Е.А., Сизов Ф.Ф. Физические основы полупроводниковой инфракрасной фотоэлектроники. - К., 1984. - 256 с. 4. Берченко H.H., Пашковский М.В. // Успехи физических наук.- 1976.-119.- С.223-255. 5. Berchenko N.N., Budzak J.S., Kurbanov K.R., Saswari D. // Semicond. Sci. Technology.- 1993. - 8. - P. 225-228. 6. Berchenko N.N., Kurbanov K.R., Nikiforov A.Yu., Korovin A.V. // Material Science and Engeneering. - 1997. - B44. - P. 274-277. 7. Berchenko N.N., Vinnikova A.I., Kovarski A.P., Matveenko A.V., Medvedev Yu.V., Chernius N.K. //Electrochimia. - 1991. - 27. - P. 1207-1208. 8. Aфонин О.Ф., Берченко H.H., Винникова A.B., Матвеенко A.В., Медведев Ю.В., Саксеев >.A. //Письма в ЖТФ. - 1992. - 18. - P. 45-49. 9. Берченко H.H., Медведев Ю.В., Саксеев Д.А. //Письма в ЖТФ. -1992. -18. - P. 68-72. 10. Берченко H.H., Костиков Ю.П., Курбанов K.P., Савицкий В.Г., Мансуров Л.Г. // Письма в ЖТФ. - 1992. -18. - P. 755-756. 11. Медведев Ю.В., Берченко H.H. //Журн. неорг. хим. - 1993. - 38. - С. 846-848. 12. Берченко М.М., Батенчук М.М., Ижнин H.H., Савчин В.П., Винникова А.И. //Журн. техн. физ. - 1994. - 84. - C. 184-187. 13. Berchenko N.N., Izhnin I.I., Savchyn V.P., Stakhira J.M., Voitsekhovskii A.V. // Material Science and Engeneering. - 1997. - B44. - P. 139-142. 14. Медведев Ю.В., Берченко H.H. //Журн. неорг. хим. - 1994. - 39. - C. 846-848. 15. Medvedev Yu.V., BerchenkoN.N. //Semicond.Sci.Technol. - 1994. - 9. - P. 2253-2257. 16. Берченко H.H., Медведев Ю.В. // Успехи химии. - 1994. - 63. - C. 655-672. 17. Berchenko N.N., Balyckyi O.A., Vasylciv V.I., Lutsiv R. V., Savchyn V.P. // Material Chemistry and Physics. - 1997. - 51/2. - P. 125-129. 18. Balyckyi O.A., Berchenko N.N., Savchyn V.P., Stakhira J.M. //Material Chemistry and Physics. - 2000. - 51/2. - P. 130-135. 19. Berchenko N. // Abstracts of 9th European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis, 30 September-5 October 2001, Avignon, France, p. 354. 20. Nikiforov Y., Yakovyna V., Berchenko N. //Mater. Sci. Engineer. A. - 2000. - 288. - P. 173-176. 21. Курило 1.В., Яковина B.C. // УФЖ. - 2001. - 46. - С. 1148-1153. 22. Berchenko N.N., Yakovyna V.S., Nikiforov Yu.N., Virt I.S. //Proc. SPIE. - 2001. - 4355. - P. 200-203. 23. Yakovyna V.S., Berchenko N.N., Nikiforov Yu.N. // Semiconductor physics, quantum electronics and optoelectronics. - 2001. - 4. - P. 283-286. 24. Shaw D., Capper P. // J. Mater. Sci. -2001. -11. - 2000. - P. 169-177. 25. Wotherspoon J.T.M. // UK Patent № GB 2095898, 1981. 26. Smith E.P.G., Siliquini J.F., Musca C.A., Antoshewski J., Dell J.M., Faraone L. // J. Appl. Phys. - 1998. - 83. - C. 5555-5557. 27. Берченко М.М., Богобоящий В.В., 1жнт 1.1., Савицъкий Г.В., Юденков В.О. // Bieg. НУ “Лъвiвсъка полтехтка”. - 2001. - № 423. - С. 3-7. 28. Blackman M.V., Charlton D.E., Jenner M.D., Purdy D.R., Wotherspoon J.T.M., Elliot C.T., White A.M. //Electron. Lett. - 1987. - 23. - P. 978-979. 29. Иванов-Омский В.H., Миронов К.Е., Мынбаев К.Д. // ФТП. - 1990. - 24. - C. 2222-2224. 30. Belas E., Grill R., Franc J., Toth A., Höschl P., Sitter H., Moravec P. // J. Crystal Growth. - 1996. -159. - P. 1117-1122. 31. Izhnin I.I., Izhnin A.I., Kurbanov K.R., Prytuljak B.B. // Proceedings SPIE. - 1996. - 3182. - P. 383-387. 32. Bogoboyashchiy V.V., Vlasov A.P., Dvoretsky S.A., Izhnin I.I., Protasov D.Y., Romashko L.N., Sidorov Y.G. // 2 Russian-Ukraine Workshop “Nanophysics and nanoelectronics”, Abstracts, Kiev, 2000. - P. 63-64. 33. Богобоящий В.В., Ижнин И.И. //Изв. вузов. Физика. - 2000. - 43. - С. 16-25. 34. Богобоящий В.В., Елизаров А.И., Иванов-Омский В.И., Петренко В.Р., Петряков В.А. // ФТП. - 1985. -19. - С. 819-824. 35. Bogoboyashchiy V.V., Izhnin 1.1. // Proceedings of 9-th Internat.Conf. on Narrow Gap Semicond., Berlin, 1999. - P. 30-32. 36. Богобоящий В.В., Власов А.П., Ижнин И.И. //Изв. вузов. Физика. - 2001. - 44. - С. 50-59. 37. Berchenko N.N., Bogoboyashchiy V.V., Izhnin I.I., Vlasov A.P. // Phys. Stat. Solidi. - 2002. - 229. - P. 279-282. 38. Johnson S., Schmit I.L. // J. Electron. Mater. - 1977. - 6. - P. 43-51. 39. Vydyanath H.R. // J. Electrochem. Soc.: Solid-State Sci. and Technol. - 1981. -128. - P. 2609-2619. 40. Antoshewski J., Musca C.A., Dell J.M., Faraone L. // J. Appl. Phys. - 2000. - 29. - P. 837-840.uk_UA
dc.rights.holder© Берченко М. М., Богобоящий В. В., Власов А. П., Іжнін І. І., Яковина B. C., 2002uk_UA
dc.subject.udc621.315.592uk_UA
dc.titleНизькотемпературні методи модифікації властивостей CdxHg1-xTe та структур на його основіuk_UA
dc.title.alternativeLow temperature methods modifying the properties of CdxHg1-xTe and CdxHg1-xTe-based structuresuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle
Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
3_18-28.pdf
Size:
206.75 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Download

Collections

Електроніка. – 2002. – №459