Вплив локальних міжелектронних кореляцій на значення розрахованих зонних енергій у кристалі GaN

Abstract

Розраховані парціальні густини електронних станів та електронні енергетичні спектри кристала GaN з градієнтними поправками у функціоналі обмінно-кореляційної енергії без і з урахуванням сильних локальних кореляцій напівостовних 3d-електронів Ga. Розрахунки виконані за методом проекційних приєднаних хвиль. Отримані результати вказують на важливість урахування локальних кореляцій, без яких розщеплені полем кристала 3d-рівні Ga розміщені у валентній зоні, що суперечить експерименту. Partial density of electronic states and electronic energy spectra of the crystal GaN with gradient corrections in the exchange-correlation energy functional without and with taking into account the strong local correlations of semicore 3d-electrons of Ga is calculated. Calculations are performed by the projector augmented waves method. The results indicate the importance of taking into account local correlations, without which 3d-levels of Ga, splitted by crystal field, appear in the valence band contrary to experiment.