Технологія отримання віскерів GaAs у відкритому проточному реакторі

Loading...
Thumbnail Image

Date

2010

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Publisher

Видавництво Львівської політехніки

Abstract

Наведена технологія отримання мікровіскерів GaAs в проточному реакторі. Технологія дає змогу контролювати діаметри віскерів у діапазоні від десятків нанометрів до десятків мікрон. Запропонована модель, яка пояснює основні етапи осадження матеріалу з парової фази. Основними положеннями моделі є механізм пара-рідина-кристал і конкуруючий ріст нанодротин. The technology for obtaining GaAs microwhiskers in flow reactor is presented. The technology allows controlling whiskers diameters in the range from tens of nanometers to tens of microns. The model explaining the basic stages of material deposition from vapour phase is suggested. The basic principles of the model are the vapour-liquid-solid mechanism and competitive nanowires growth.

Description

Keywords

арсенід галію, нановіскер (нанодротина), віскер, механізм ПРК, парогазова фаза, проточний реактор, дозрівання Освальда, gallium arsenide, nanowhisker (nanowire), whisker, VLS mechanism, gas-vapor phase, flow reactor, Ostwald ripening

Citation

Технологія отримання віскерів GaAs у відкритому проточному реакторі / І. А. Большакова, Д. М. Заячук, Я. Я. Кость, О. Ю. Макідо, Ф. М. Шуригін // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2010. – № 681 : Електроніка. – С. 75–79. – Бібліографія: 7 назв.

Endorsement

Review

Supplemented By

Referenced By