Технологія отримання мікрокристалів твердого розчину GaAs-InAs з парової фази

Simple item page
dc.contributor.authorСтецко, Р. М.
dc.date.accessioned2012-11-29T12:21:49Z
dc.date.available2012-11-29T12:21:49Z
dc.date.issued2012
dc.description.abstractНаведено результати вирощування мікрокристалів твердих розчинів GaxIn1-xAs за механізмом пара-рідина-кристал (ПРК-механізмом) методом хімічних транспортних реакцій в атмосфері хлористого водню. Отримано мікрокристали твердого розчину GaxIn1-xAs зі складом 0,30≤x≤0,41, який був визначений за допомогою рентгенівського мікроаналізу. Results of growing GaxIn1-xAs solid solution microcrystals by chemical vapor deposition in chloride system are represented. GaxIn1-xAs solid solution microcrystals with 0.30≤x≤0.41 composition, which was determined by X-ray microanalysis, were obtained.uk_UA
dc.identifier.citationСтецко Р. М. Технологія отримання мікрокристалів твердого розчину GaAs-InAs з парової фази / Р. М. Стецко // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2012. – № 734 : Електроніка. – С. 73–79. – Бібліографія: 14 назв.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/16056
dc.language.isouauk_UA
dc.publisherВидавництво Львівської політехнікиuk_UA
dc.subjectпара-рідина-кристалuk_UA
dc.subjectтвердий розчинuk_UA
dc.subjectмікрокристалиuk_UA
dc.subjectарсенід індіюuk_UA
dc.subjectарсенід галіюuk_UA
dc.subjectvapor-liquid-soliduk_UA
dc.subjectsolid solutionuk_UA
dc.subjectmicrocrystalsuk_UA
dc.subjectindium arsenideuk_UA
dc.subjectgallium arsenideuk_UA
dc.titleТехнологія отримання мікрокристалів твердого розчину GaAs-InAs з парової фазиuk_UA
dc.title.alternativeTechnology of obtaining GaAs-InAs solid solution microcrystals by chemical vapor depositionuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
11-Stetsko-73-79.pdf
Size:
758.59 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Download

Collections

Електроніка. – 2012. – №734