Вирощування нанорозмірних кристалів Si методом газофазової епітаксії
| dc.contributor.author | Дружинін, А. О. | |
| dc.contributor.author | Островський, І. П. | |
| dc.contributor.author | Ховерко, Ю. М. | |
| dc.contributor.author | Нічкало, С. І. | |
| dc.date.accessioned | 2010-06-23T08:46:16Z | |
| dc.date.available | 2010-06-23T08:46:16Z | |
| dc.date.issued | 2009 | |
| dc.identifier.citation | Вирощування нанорозмірних кристалів Si методом газофазової епітаксії / А. О. Дружинін, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, С. І. Нічкало // Дванадцята відкрита науково-технічна конференція професорсько-викладацького складу Інституту телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки Національного університету “Львівська політехніка” з проблем електроніки : тези доповідей, 7–9 квітня 2009 року / Національний університет “Львівська політехніка”. – Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009. – С. 29. | uk_UA |
| dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/5715 | |
| dc.language.iso | ua | uk_UA |
| dc.publisher | Видавництво Національного університету "Львівська політехніка" | uk_UA |
| dc.title | Вирощування нанорозмірних кристалів Si методом газофазової епітаксії | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |