Electronic excitation mediated structuring of semiconducting oxides

dc.contributor.authorMuseur, L.
dc.contributor.authorAnglos, D.
dc.contributor.authorKanaev, A.
dc.date.accessioned2012-10-12T11:19:14Z
dc.date.available2012-10-12T11:19:14Z
dc.date.issued2012
dc.description.abstractStrong modifications of semiconducting oxides can be provoked by high-density electronic excitation above the Mott density. This regime corresponds to the manifestation of electron-hole plasma continuum. The nanostructuring of monocrystalline zinc oxide in this regime is correlated with elongation of the inter-crystalline planes and intensification of exciton photoluminescence.uk_UA
dc.identifier.citationMuseur L. Electronic excitation mediated structuring of semiconducting oxides / L. Museur, D. Anglos, A. Kanaev // Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (ОМЕЕ – 2012) : збірник матеріалів міжнародної наукової конференції, 3-7 вересня 2012 року, Львів, Україна / Національний університет “Львівська політехніка”. – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – С. 129–130. – Bibliography: 3 titles.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/15228
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherВидавництво Львівської політехнікиuk_UA
dc.subjectfemtosecond laser processinguk_UA
dc.subjecthigh-density electronic excitationuk_UA
dc.subjectZnOuk_UA
dc.subjectsurface nanostructuringuk_UA
dc.titleElectronic excitation mediated structuring of semiconducting oxidesuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
56_129_130_OMEE_2012.pdf
Size:
76.38 KB
Format:
Adobe Portable Document Format

License bundle

Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
2.06 KB
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description: