Electronic excitation mediated structuring of semiconducting oxides
dc.contributor.author | Museur, L. | |
dc.contributor.author | Anglos, D. | |
dc.contributor.author | Kanaev, A. | |
dc.date.accessioned | 2012-10-12T11:19:14Z | |
dc.date.available | 2012-10-12T11:19:14Z | |
dc.date.issued | 2012 | |
dc.description.abstract | Strong modifications of semiconducting oxides can be provoked by high-density electronic excitation above the Mott density. This regime corresponds to the manifestation of electron-hole plasma continuum. The nanostructuring of monocrystalline zinc oxide in this regime is correlated with elongation of the inter-crystalline planes and intensification of exciton photoluminescence. | uk_UA |
dc.identifier.citation | Museur L. Electronic excitation mediated structuring of semiconducting oxides / L. Museur, D. Anglos, A. Kanaev // Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (ОМЕЕ – 2012) : збірник матеріалів міжнародної наукової конференції, 3-7 вересня 2012 року, Львів, Україна / Національний університет “Львівська політехніка”. – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – С. 129–130. – Bibliography: 3 titles. | uk_UA |
dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/15228 | |
dc.language.iso | en | uk_UA |
dc.publisher | Видавництво Львівської політехніки | uk_UA |
dc.subject | femtosecond laser processing | uk_UA |
dc.subject | high-density electronic excitation | uk_UA |
dc.subject | ZnO | uk_UA |
dc.subject | surface nanostructuring | uk_UA |
dc.title | Electronic excitation mediated structuring of semiconducting oxides | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |