Electric Transport Properties of Sn-Dopped Bi2Te2Se Topological Insulators

Simple item page
dc.citation.conferenceМіжнародна наукова конференція "Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування"
dc.citation.epage166
dc.citation.journalTitleОксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування : збірник тез міжнародної наукової конференції
dc.citation.spage166
dc.contributor.affiliationInstitute of Physics, Polish Academy of Sciences, Al. Lotników 32/46, 02-668 Warsaw, Poland
dc.contributor.affiliationTele and Radio Research Institute, Ratuszowa 11, 03-450 Warsaw, Poland
dc.contributor.authorIwanowski, P.
dc.contributor.authorHruban, A.
dc.contributor.authorPiotrowski, K.
dc.contributor.authorDiduszko, R.
dc.coverage.placenameЛьвів
dc.coverage.placenameLviv
dc.coverage.temporal29 травня–2 червня, 2017 Львів, Україна
dc.coverage.temporalMay 29–June 2, 2017 Lviv, Ukraine
dc.date.accessioned2018-04-02T13:40:10Z
dc.date.available2018-04-02T13:40:10Z
dc.date.created2017-05-29
dc.date.issued2017-05-29
dc.format.extent166
dc.format.pages1
dc.identifier.citationElectric Transport Properties of Sn-Dopped Bi2Te2Se Topological Insulators / P. Iwanowski, A. Hruban, K. Piotrowski, R. Diduszko // Oxide Materials for Electronic Engineering – fabrication, properties and applications : book of abstracts international conference, May 29–June 2, 2017 Lviv, Ukraine. — Lviv, 2017. — P. 166. — (5 materials for quantum and optoelectronics and detectors of radiation).
dc.identifier.citationenElectric Transport Properties of Sn-Dopped Bi2Te2Se Topological Insulators / P. Iwanowski, A. Hruban, K. Piotrowski, R. Diduszko // Oxide Materials for Electronic Engineering – fabrication, properties and applications : book of abstracts international conference, May 29–June 2, 2017 Lviv, Ukraine. — Lviv, 2017. — P. 166. — (5 materials for quantum and optoelectronics and detectors of radiation).
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/40052
dc.language.isoen
dc.relation.ispartofОксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування : збірник тез міжнародної наукової конференції, 2017
dc.relation.ispartofOxide Materials for Electronic Engineering – fabrication, properties and applications : book of abstracts international conference, 2017
dc.rights.holder© Національний університет “Львівська політехніка”, 2017
dc.titleElectric Transport Properties of Sn-Dopped Bi2Te2Se Topological Insulators
dc.typeConference Abstract

Files

Original bundle

Now showing 1 - 2 of 2
Thumbnail Image
Name:
OMEE_2017_Iwanowski_P-Electric_Transport_Properties_166.pdf
Size:
101.79 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Download
Thumbnail Image
Name:
OMEE_2017_Iwanowski_P-Electric_Transport_Properties_166__COVER.png
Size:
806.18 KB
Format:
Portable Network Graphics
Download

License bundle

Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
2.93 KB
Format:
Plain Text
Description:
Download

Collections

Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (OMEE-2017). – 2017 р.