Релаксаційні струми деполярзації в ортогерманаті вісмуту

Abstract

Досліджено релаксаційні струми деполярзації в монокристалах, кераміках і тонких плівках Bi4Ge3O12 в температурному інтервалі 80 - 295 K. Визначено часи релаксації та енергії активації деполяризації. Встановлено, що при зростанні дефектності кристалічної структури збільшується значення релаксаційного струму і зменшується енергія активації деполяризації. The relaxation currents of depolarization in single crystals, ceramics and thin films Bi4Ge3O12 was investigated in temperature region 80 - 295 K. The relaxation times and energy activation of depolarization was determinated. At increase of defects of crystalline structure the value of relaxation current increased and value of energy activation of depolarization decreased.