Електричні властивості структур напівпровідників-ферит

Abstract

Досліджено структури напівпровідників-ферит, сформовані тісним контактом між напівпровідниковим монокристалом InSb (магніторезистор-МР) і феритовою підкладкою. Використовувалися орієнтовані монокристалічні підкладки MnxZn1-xFe2O4, YFeO3, Mn-Zn-полікристали і плівки ферогранітів, які були вирощені рідкофазною епітаксією (РФЕ) на підкладках з галій-гадолінієвого граніту (Semiconductor – ferrite structures, formed by means of tight contact between InSb monocrystal (magnetoresister -MR) and ferrite substrate have been investigated. The oriented MnxZn1-xFe2O4 monocrystal substrates, YFeO3, Mn-Zn policrystal ferrite and YIG films epitaxially grown on GGG surface from liquid-phase (LPE) were used. Substrate influence at the VAC and the voltage gain on magnetoresistor increase depending on the magnetic field (B) for different I0 were investigated.). Досліджено вплив феритових підкладок на вольт-амперні характеристики і встановлено, що чутливість МР зростає залежно від магнітного поля для різних значень робочого струму І0.Semiconductor – ferrite structures, formed by means of tight contact between InSb monocrystal (magnetoresister -MR) and ferrite substrate have been investigated. The oriented MnxZn1-xFe2O4 monocrystal substrates, YFeO3, Mn-Zn policrystal ferrite and YIG films epitaxially grown on GGG surface from liquid-phase (LPE) were used. Substrate influence at the VAC and the voltage gain on magnetoresistor increase depending on the magnetic field (B) for different I0 were investigated.