Лазерна ударна хвиля як механізм трансформації дефектної структури напівпровідника

dc.contributor.authorГородниченко, О. С.
dc.contributor.authorГнатюк, В. А.
dc.contributor.authorЮр'єв, С. О.
dc.contributor.authorРакобовчук, Л. М.
dc.date.accessioned2015-12-23T13:19:35Z
dc.date.available2015-12-23T13:19:35Z
dc.date.issued2003
dc.description.abstractНа підставі узагальнення літературних даних та експериментів щодо опромінення варізонних епітаксійних шарів CdxHg1-xTe розглянуто вплив лазерно-індуктивних ударних хвиль на властивості напівпровідників з метою подальшого з'ясування механізмів дефектоперетворення при імпульсному лазерному опроміненні. Обговорюються фізичні процеси генерації та наведено вирази для критерію виникнення, глибини утворення та амплітуди ударної хвилі. Відзначається перспективність використання лазерних ударних хвиль при оптимізації функціональних параметрів напівпровідникових структур. On the basis of literature data and the exeperiments on irradiation of epitaxial CdxHg1-xTe layers the influence of laser-induced waves on the properties of semiconductors are analyzed with a view to identification of defect transformation mechanisms under pulsed laser irradiation/ The physical processes of the shock wave generation are discussed and the expression for a criterion and depth of the formation of a shock wave and for its amplutude are offered. It is pointed that using the laser-induced shock waves is a promising method for optimization of performance parameters of semiconductor structures.uk_UA
dc.identifier.citationГородниченко О. С. Лазерна ударна хвиля як механізм трансформації дефектної структури напівпровідника / О. С. Городниченко, В. А. Гнатюк, С. О. Юр’єв, Л. М. Ракобовчук // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2003. – № 482 : Електроніка. – С. 55–62. – Бібліографія: 28 назв.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/30918
dc.language.isouauk_UA
dc.publisherВісник Національного університету "Львівська політехніка"uk_UA
dc.titleЛазерна ударна хвиля як механізм трансформації дефектної структури напівпровідникаuk_UA
dc.title.alternativeThe laser-induced wave as defect transformation mechanism of semiconductor structureuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle
Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
8-55-62.pdf
Size:
927.77 KB
Format:
Adobe Portable Document Format