Лазерна ударна хвиля як механізм трансформації дефектної структури напівпровідника

Abstract

На підставі узагальнення літературних даних та експериментів щодо опромінення варізонних епітаксійних шарів CdxHg1-xTe розглянуто вплив лазерно-індуктивних ударних хвиль на властивості напівпровідників з метою подальшого з'ясування механізмів дефектоперетворення при імпульсному лазерному опроміненні. Обговорюються фізичні процеси генерації та наведено вирази для критерію виникнення, глибини утворення та амплітуди ударної хвилі. Відзначається перспективність використання лазерних ударних хвиль при оптимізації функціональних параметрів напівпровідникових структур. On the basis of literature data and the exeperiments on irradiation of epitaxial CdxHg1-xTe layers the influence of laser-induced waves on the properties of semiconductors are analyzed with a view to identification of defect transformation mechanisms under pulsed laser irradiation/ The physical processes of the shock wave generation are discussed and the expression for a criterion and depth of the formation of a shock wave and for its amplutude are offered. It is pointed that using the laser-induced shock waves is a promising method for optimization of performance parameters of semiconductor structures.