Гетероструктури CdHgTe/(Si,GaAs) отримані МПЕ: структура,напруження,фізичні властивості

Simple item page
dc.contributor.authorВойцеховський, А. В.
dc.contributor.authorВірт, І. С.
dc.contributor.authorКоханенко, А. П.
dc.contributor.authorКурило, І. В.
dc.contributor.authorРудий, І. О.
dc.contributor.authorЛопатинський, І. Є.
dc.contributor.authorФружинський, М. С.
dc.date.accessioned2015-12-23T12:45:56Z
dc.date.available2015-12-23T12:45:56Z
dc.date.issued2003
dc.description.abstractМетодами дифракції електронів високих енергійна відбивання та растрової електронної мікроскопії досліджена структура та морфологія поверхні епітаксійних плівок (ЕП) CdHgTe, вирощених методом молекулярно-променевої епітаксії на підкладках Si (111) та GaAs (112) з буферними шарами.Досліджено деякі механічні невідповідності в багатошарових гетероструктурах, у тому числі й структурах з анодним оксидом.Подано результати досліджень деяких електрофізичних та фотоелектричних властивостей ЕП. The crystal structures and surface morphology of CdHgTe epitaxial films grown by molecular-beam epitaxy on Si (111) and GaAs (112) substrates with buffer layers by the electron diffraction methob and electron scanning microscopy were investigated.Some mechanical properties epitaxial films, elastic properties of interfaces and characteristic misfit dislocations in multilayers heterostructures including structures with anodi oxides are investigated.Electrophysical and photoelectric parameters of CdHgTe epitaxial films were measured.uk_UA
dc.identifier.citationГетероструктури CdHgTe/(Si,GaAs), отримані МПЕ: структура, напруження, фізичні властивості / І. С. Вірт, А. В. Войцеховський, А. П. Коханенко, І. В. Курило, І. О. Рудий, І. Є. Лопатинський, М. С. Фружинський // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2003. – № 482 : Електроніка. – С. 3–12. – Бібліографія: 21 назва.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/30915
dc.language.isouauk_UA
dc.publisherВісник Національного університету "Львівська політехніка"uk_UA
dc.titleГетероструктури CdHgTe/(Si,GaAs) отримані МПЕ: структура,напруження,фізичні властивостіuk_UA
dc.title.alternativeCdHgTe/(Si,GaAs) heterostructures obtained by MBE: structure, stresses, physical, propertiesuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle
Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
2-3-12.pdf
Size:
1.41 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Download

Collections

Електроніка. – 2003. – №482