Моделі накопичення радіаційних дефектів в оксидних кристалах
No Thumbnail Available
Date
2004
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Національного університету «Львівська політехніка»
Abstract
Розглянуто задачу опису кінетики накопичення радіаційних дефектів у кристалах складних оксидів. Проаналізовано моделі, які описують основні процеси та явища, що існують при опроміненні кристала - зміну зарядового стану генетичних дефектів, обмеженість процесу перезарядки генетичних дефектів їх кількістю та процесом їх рекомбінації, утворення радіаційних дефектів зміщення та їх іонізацію, обмеженість утворення радіаційних дефектів та їх іонізації процесами рекомбінації, а також утворення комплексів аніонної і катіонної вакансій. The description problem of the radiation defects accumulation kinetics is considered. The analysis is carried out for models describing the basic processes and phenomena taking place at the crystal irradiation, namely the genetic defects recharging, the limitation of the genetic defects recharging by their quantity and recombination, the displacement defects formation and ionization of them, the limitation of the radiation defects formation and their ionization by the recombination processes as well as formation of complexes of anion and cation vacancies.
Description
Keywords
Citation
Моделі накопичення радіаційних дефектів в оксидних кристалах / С. Б. Убізський, O. A. Бурий, П. Потера, А. О. Матковський // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2004. – № 514 : Електороніка. – С. 23–32. – Бібліографія: 9 назв.