Дослідження впливу деформації на домішкову провідність ниткоподібних кристалів германію при кріогенних температурах

Simple item page
dc.citation.journalTitleЕлектроніка
dc.contributor.affiliationНаціональний університет “Львівська політехніка”uk_UA
dc.contributor.authorДружинін, А. О.
dc.contributor.authorЛавитська, О. М.
dc.contributor.authorМар'ямова, І. Й.
dc.contributor.authorСтасюк, Н. М.
dc.coverage.countryUAuk_UA
dc.coverage.placenameЛьвівuk_UA
dc.date.accessioned2018-09-19T10:04:27Z
dc.date.available2018-09-19T10:04:27Z
dc.date.issued2001
dc.description.abstractДосліджено властивості ниткоподібних кристалів (НК) германію р-типу провідності в широкому діапазоні температур - від 1,7 К до кімнатної. Ступінь легування кристалів акцепторною домішкою галію відповідав близькості до переходу метал-діелектрик (ПМД). Деформацію кристала створювали закріп¬ленням на спеціально підібраних підкладках, матеріал яких мав коефіцієнт ліній¬ного розширення (КЛР), відмінний від КЛР германію. Запропонована методика експерименту дозволила визначити коефіцієнт тензочутливості зразків, який при 4,2 К досягав до 8000. Досліджено вплив термічної деформації кристала на температурну залежність електропровідності, визначено залежність енергії активації стрибкової провідності від деформації розтягу та стиску. Зроблено практичні рекомендації щодо використання НК германію в сенсорах фізичних величин. The properties of semiconductor whiskers (SW) of p-type germanium have been studied in the wide temperature range - from 1,7 K up to the room temperature. The doping level of the crystals with the acceptor impurity of gallium corresponded to the vicinity to the metal-insulator transition (MIT). The strain was imposed by the crystal mounting on specially selected substrates with thermal expansion coefficients (TEC) different from that in germanium. Such an experimental technique let it possible to determine the gauge factor for the samples which achieved up to 8000 at 4,2 K. An influence of the thermal strain on the electrical conductivity of the crystal was studied. An activation energy for the hopping conductance as a function of the tensile and compressive strain has been determined. The practical recommendation concerning the germanium SW application in physical sensors have been elaborated.uk_UA
dc.format.pages55–61
dc.identifier.citationДослідження впливу деформації на домішкову провідність ниткоподібних кристалів германію при кріогенних температурах / А. О. Дружинін , О. М. Лавитська, І. Й. Мар'ямова, Н. М. Стасюк // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2001. – № 430 : Електроніка. – С. 55–61. – Бібліографія: 7 назв.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/42655
dc.language.isoukuk_UA
dc.publisherВидавництво Національного університету "Львівська політехніка"uk_UA
dc.relation.references1. Voronin V., Maryamova I., Zaganyach Y. et al. Sensors and Actuators. 1992. 30A . P. 27 - 33. 2. Lavitska E. In: 3rd International Workshop on Thermal Investigations of IC's and Microstructures, Cannes, France, Sept. 21 - 23, 1997. Collection of papers, 1997, P. 72 - 74. 3. Шкловский В.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников, Москва: Наука, 1979. 4. Chroboczek J.A., Pollak F.H., Staunton H.F. Philosophical Magazine. 1984. 50. P. 113 - 156. 5. Pollak F.H. Physical Review. 1965. 138. P. A618 - A631. 6. Мотт Н.Ф. Переходы металл-изолятор. Москва, Наука, 1979, 342 С. 7. Maryamova I., Druzhinin A., Lavitska E. et al. Sensors and Actuators. 2000. A85. P. 153 -156.uk_UA
dc.rights.holder© Дружинін А. О., Лавитська О. М., Мар'ямова І. Й., Стасюк Н. М., 2001uk_UA
dc.subject.udc621.315.592uk_UA
dc.titleДослідження впливу деформації на домішкову провідність ниткоподібних кристалів германію при кріогенних температурахuk_UA
dc.title.alternativeStudies of the strain effect on the inmpurity conduction ingermanium whiskers at cryogenic temperaturesuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle
Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
11_55-61.pdf
Size:
222.28 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Download

Collections

Електроніка. – 2001. – №430