Формування шарів i-GaАs легованих кремнієм методом рідинно-фазної епітаксії

Simple item page
dc.contributor.authorВаків, М. М.
dc.contributor.authorТимчишин, В. Р.
dc.date.accessioned2014-02-03T16:10:38Z
dc.date.available2014-02-03T16:10:38Z
dc.date.issued2013
dc.identifier.citationВаків М. М. Формування шарів i-GaАs легованих кремнієм методом рідинно-фазної епітаксії / М. М. Ваків, В. Р. Тимчишин // Шістнадцята щорічна відкрита науково-технічна конференція Інституту телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки з проблем електроніки та інфокомунікаційних систем : програма та тези доповідей, 2–4 квітня 2013 року, Львів / Національний університет "Львівська політехніка", Інститут телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки. – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2013. – С. 24.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/23016
dc.language.isouauk_UA
dc.publisherВидавництво Львівської політехнікиuk_UA
dc.titleФормування шарів i-GaАs легованих кремнієм методом рідинно-фазної епітаксіїuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
8-24-24.pdf
Size:
126.04 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Download

License bundle

Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
1.71 KB
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description:
Download

Collections

Шістнадцята відкрита науково-технічна конференція Інституту телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки. – 2013 р.