Basic Properties of Point Defects inWide-Band GapMetal Halides, Oxides and Perovskites

Simple item page
dc.citation.conferenceМіжнародна наукова конференція "Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування"
dc.citation.epage48
dc.citation.journalTitleОксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування : збірник тез міжнародної наукової конференції
dc.citation.spage48
dc.contributor.affiliationInstitute of Solid State Physics, University of Latvia, Latvia
dc.contributor.authorPopov, A. I.
dc.contributor.authorKotomin, E. A.
dc.coverage.placenameЛьвів
dc.coverage.placenameLviv
dc.coverage.temporal29 травня–2 червня, 2017 Львів, Україна
dc.coverage.temporalMay 29–June 2, 2017 Lviv, Ukraine
dc.date.accessioned2018-04-02T13:41:41Z
dc.date.available2018-04-02T13:41:41Z
dc.date.created2017-05-29
dc.date.issued2017-05-29
dc.format.extent48
dc.format.pages1
dc.identifier.citationPopov A. I. Basic Properties of Point Defects inWide-Band GapMetal Halides, Oxides and Perovskites / A. I. Popov, E. A. Kotomin // Oxide Materials for Electronic Engineering – fabrication, properties and applications : book of abstracts international conference, May 29–June 2, 2017 Lviv, Ukraine. — Lviv, 2017. — P. 48. — (2 active media fundamentals: crystal structure and defects).
dc.identifier.citationenPopov A. I. Basic Properties of Point Defects inWide-Band GapMetal Halides, Oxides and Perovskites / A. I. Popov, E. A. Kotomin // Oxide Materials for Electronic Engineering – fabrication, properties and applications : book of abstracts international conference, May 29–June 2, 2017 Lviv, Ukraine. — Lviv, 2017. — P. 48. — (2 active media fundamentals: crystal structure and defects).
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/40158
dc.language.isoen
dc.relation.ispartofОксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування : збірник тез міжнародної наукової конференції, 2017
dc.relation.ispartofOxide Materials for Electronic Engineering – fabrication, properties and applications : book of abstracts international conference, 2017
dc.relation.referencesen[1] E. A. Kotomin, A. I. Popov, Radiation-induced point defects in simple oxides, Nucl. Instr. Meth. B 141(1998) 1.
dc.relation.referencesen[2] A. I. Popov, E. A. Kotomin, J. Maier, Basic properties of the F-type centers in halides, oxides and perovskites, Nucl. Instr. Meth. B 268 (2010) 3084.
dc.relation.referencesen[3] A. I. Popov, E. A. Kotomin, J. Maier, Analysis of self-trapped hole mobility in alkali halides and metal halides, Solid State Ionic (2017) (in press), http://dx.doi.org/10.1016/j.ssi.2016.12.004.
dc.relation.referencesen[4] E. A. Kotomin, A. I. Popov, The kinetics of radiation-induced point defect aggregation and metallic colloid formation in ionic solids, Radiation Effects in Solids, NATO Science Series, vol. 235, Springer, 2007, p. 153.
dc.relation.referencesen[5] E. A. Kotomin , V. N. Kuzovkov , A. I. Popov, R. Vila , Kinetics of F center annealing and colloid formation in Al2O3, Nucl. Instr. Meth. B 374 (2016) 107.
dc.relation.urihttp://dx.doi.org/10.1016/j.ssi.2016.12.004
dc.rights.holder© Національний університет “Львівська політехніка”, 2017
dc.titleBasic Properties of Point Defects inWide-Band GapMetal Halides, Oxides and Perovskites
dc.typeConference Abstract

Files

Original bundle

Now showing 1 - 2 of 2
Thumbnail Image
Name:
OMEE_2017_Popov_A_I-Basic_Properties_of_Point_Defects_48.pdf
Size:
19.54 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Download
Thumbnail Image
Name:
OMEE_2017_Popov_A_I-Basic_Properties_of_Point_Defects_48__COVER.png
Size:
716.26 KB
Format:
Portable Network Graphics
Download

License bundle

Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
2.9 KB
Format:
Plain Text
Description:
Download

Collections

Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (OMEE-2017). – 2017 р.