Композиційні особливості у-індукованих змін оптичних властивостей трикомпонентних систем халькогенідних склоподібних напівпровідників

Abstract

Проведено порівняльний аналіз характеру композиційних залежностей статич¬ної складової у-індукованих змін оптичного пропускання Ат для різнотипних трик¬омпонентних систем халькогенідних склоподібних напівпровідників: квазібінарних; хімічно модифікованих зі слабко порушеною стехіометрією; нестехіометричних з широкою варіацією середнього координаційного числа. Встановлено, що особливос¬ті механізму радіаційно-індукованих змін визначаються розмірністю і стехіометрією структурної матриці скла, параметрами вільного об’єму та специфікою радіаційно- індукованого дефектоутворення. Comparative analysis of the pattern of compositional dependencies for the static component of у-induced changes of optical transmittance Ат in the different types of ternary systems of vitreous chalcogenide semiconductors: quasi-binary; chemically modified with weakly broken stoichiometry; non-stoichiometric, with wide variation of the average coordination number has been carried out. It has been established that the features of the mechanism of radiation-induced changes are determined by the dimensionality and stoichiometry of glass structural matrix, the free volume parameters and the specificity of radiation-induced defect formation.