Дослідження нанорозмірних плівок фталоціаніну нікелю (NIPC) для елементів пам’яті

Abstract

Наведено результати досліджень термовакуумно напилених тонких плівок органічного напівпровідника фталоціаніну нікелю (NiPc) за різних швидкостей осадження для елементів пам’яті. Проведено рентгеноструктурний аналіз та виявлено морфологічні особливості тонких плівок NiPc. Досліджено вольт-амперні (ВАХ) та імпедансні характеристики структури ITO/NiPc/Al. Виявлено бістабільний характер поведінки структури ITO/NiPc/Al, сформованої із високою швидкістю осадження NiPc. In this work presented the results of investigation of nickel phthalocyanine (NiPc) thin films prepared by thermal vacuum deposition with different deposition rate for memory cells. XRay diffraction and surface morphology images of NiPc thin films were investigated. It was studied the current-voltage and impedance characteristics of structure ITO/NiPc/Al. Revealed bistable behavior of structure ITO/NiPc/Al fabricated with high deposition rate of NiPc.