Browsing by Author "Єрашок, В. Е."

Now showing 1 - 11 of 11

Вплив опромінення високоенергетичними нейтронами та електронами на плівкові сенсори магнітного поля
(Видавництво Львівської політехніки, 2010) Большакова, І. А.; Єрашок, В. Е.; Макідо, О. Ю.; Марусенков, А. В.; Шуригін, Ф. М.
Досліджено залежність стабільності параметрів плівкових сенсорів магнітного поля на основі InAs та InSb від температури опромінення. Наведені результати досліджень впливу спектра нейтронів на величину зміни чутливості сенсорів. Показані особливості поведінки параметрів сенсорів на основі багатошарових гетероструктур, опромінених електронами та реакторними нейтронами. The dependence of parameter stability for InAs- and InSb-based film sensors of magnetic field from irradiation temperature has been investigated. Results of the research into the effect of neutron spectrum on the value of sensitivity change for sensors are presented. Features of parameter behaviour for sensors on the basis of multilayer heterostructures irradiated with electrons and reactor neutrons are shown.
Гальваномагнітні пристрої вимірювання квазістаціонарних магнітних полів реакторів термоядерного синтезу
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2010) Большакова, І. А.; Голяка, Р. Л.; Єрашок, В. Е.; Марусенков, Т. А.
Гальваномагнітні пристрої для реакторів термоядерного синтезу: основні підходи. Огляд
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Большакова, І. А.; Голяка, Р. Л.; Єрашок, В. Е.; Bolshakova, I. A.; Holyaka, R. L.; Yerashok, V. E.; Національний університет “Львівська політехніка”; Лабораторія магнітних сенсорів, Центр “Кристал”
Аналізуються проблеми вимірювання магнітного поля в реакторах термоядерного синтезу з магнітним утриманням плазми (типу ТОКАМАК). Показано, що нове покоління ректорів термоядерного синтезу потребуватиме апаратури для діагностики магнітного поля, яка відповідає критеріям довготривалої експлуатації в екстремальних умовах експлуатації. Розглянуто принципи побудови такої апаратури, нові конструкції інтегрованих перетворювачів, елементну базу схем обробки сигналу тощо. Наведено результати виконаних в кінці 2004 року експериментів з вимірювання магнітного поля в реакторі TORE SUPRA (Кадараш, Франція).
Дослідження впливу нейтронного опромінення на тонкоплівкові сенсори магнітного поля
(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Большакова, І. А.; Віерербл, Л.; Дюран, І.; Єрашок, В. Е.; Макідо, О. Ю.; Шуригін, Ф. М.; Мороз, А. П.; Ковальова, Н. В.
Досліджено вплив нейтронного опромінення на параметри тонкоплівкових сенсорів магнітного поля на основі InAs та InSb. Визначено вплив нейтронів на величину зміни параметрів сенсорів. Показано, що зміна параметрів сенсорів на основі багатошарових структур визначається не тільки поведінкою матеріалу робочого шару, а також впливом нейтронного опромінення на властивості буферних шарів цієї структури. Проведены исследования влияия нейтронного облучения на параметры тонкопленочных сенсоров магнитного поля на основе InAs и InSb. Определено влияние спектра нейтронов на величину изменения параметров сенсоров. Представлены результаты отжига радиационных дефектов облученных образцов. Показано, что изменения параметра сенсоров на основе многослойных структур определяется не только проведением,материала рабочего слоя, но и влиянием нейтронного облучения на свойства буферных слоев данной структури.The investigation of neutron irradiation e ect on the parameters of thin-film magnetic field sensors based on InAs and InSb was conducted. The e ffect of neutron spectrum on sensor parameters' change value was determined. The results of radiation defects' annealing of the irradiated samples are presented. It is shown that parameter change of the sensors based on multilayer structures are defined by not only the working layer behavior, but also by the impact of neutron irradiation on the buffer layer properties of this structure.
Дослідження сенсорів магнітного поля в прискорювачі електронів "Elias" в режимі on-line
(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Большакова, І. А.; Загачевський, Ю.; Єрашок, В. Е.; Ковальова, Н. В.; Мороз, А. П.; Макідо, О. Ю.; Шуригін, Ф. М.
Дослідження та аналіз стабільності інтегрального низьковольтного джерела опорної напруги
(Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Голяка, Р. Л.; Єрашок, В. Е.; Максимів, І. В.
Розглянуто результати розробки інтегрального низьковольтного джерела опорної напруги на принципі формування напруги, яка числово дорівнює ширині забороненої зони кремнію. Проведено дослідження та аналіз стабільності дже- рела при зміні температури та напруги живлення. Results of development are discussed concerning the low-level reference voltage source based on the principle of forming a potential equivalent to the silicon bandgap width. Investigations are performed and analysis is carried out at changing temperature and supply voltage.
Контролер мікроелектронного інтелектуального сенсора вологості ємнісного типу
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2004) Готра, З. Ю.; Голяка, Р. Л.; Єрашок, В. Е.; Мельник, О. М.; Прошак, Д.
Розглянуто питання створення сучасних інтелектуальних сенсорних пристроїв, основні питання побудови контролера мікроелектронного сенсора вологості ємнісного типу. Як основу контролера використано один з найсучасніших виробів фірми Analog Devices - мікроконвертор серії ADuCXXX, який за функціональними характеристиками відповідає вимогам інтелектуальних сенсорів (IEEE 1451.2). Проаналізовано вибір елементної бази контролера, описано особливості його роботи, наведено результати мо¬делювання перехідних процесів схеми та алгоритмічну схему програмного забезпечення мікроконвертора
Принципи термокомпенсації низьковольтних опорних напруг
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Голяка, Р. Л.; Готра, О. З.; Єрашок, В. Е.; Шевчук, 0. І.; Національний університет “Львівська політехніка”
Запропоновані нові схемні рішення термокомпенсованих низьковольтних джерел опорної напруги, зокрема для інтегральних стабілізаторів напруги та струму, сенсорних пристроїв, аналогово-цифрових перетворювачів тощо. На від¬міну від аналогів, запропоновані схеми термокомпенсації інтегральних стабіліза¬торів забезпечують нормальне функціонування при напругах живлення від 1 В. Досліджено характеристики таких стабілізаторів. Novel circuitry is proposed for thermocompensated low-voltage sources of reference voltage, in particular for integrated stabilizers of voltage and current, sensor devices, analog-digital converters etc. Despite the known analogs, the proposed thermo¬compensation algorithms for the integrated stabilizers provide normal operation at the supply voltages from 1 V. Parameters of such stabilizers are studied.
Пристрій картографування магнітного поля циклотронних магнітів на основі матриць холлівських сенсорів
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Большакова, І. А.; Голяка, Р. Л.; Єрашок, В. Е.; Національний університет “Львівська політехніка”; Лабораторія Магнітних Сенсорів, Центр “Кристал”
Проаналізовано задачу картографування магнітного поля в циклотронних магнітах. Особливістю цієї задачі є високопрецизійне вимірювання неоднорідного магнітного поля багатоканальними магнітометрами на основі матриць радіаційностійких холлівських сенсорів (похибка – не більше 0.01%). Розкриті нові рішення щодо побудови таких вимірювальних пристроїв, а також структура та результати апробації розробленого картографа Mapper-MSL.
Сенсорні пристрої магнітного поля на сенсорах Холла з розщепленою структурою
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Большакова, І. А.; Голяка, Р. Л.; Мороз, А. П.; Єрашок, В. Е.; Марусенкова, Т. А.
Наведено принципи побудови сенсорних пристроїв магнітного поля на сенсорах Холла з розщепленою структурою. Показано, що шляхом відповідної конструктивної модифікації сенсорів Холла з розщепленою структурою вдається отримати нові функціональні можливості, зокрема, щодо підвищення просторової роздільної здатності та інтегрування декількох сенсорів в дво- та тривимірні структури. The work is dealing with questions of new magnetic field sensor devices developing on the splitted structure base. It has been shown that by special structure modification of Hall sensors with splitted structure it is possible to achieve new functional abilities, in particular, concerning an improvement of space resolution and the sensors integration into two- and three dimensions structure.
Структурні та схемотехнічні рішення сенсорних пристроїв магнітного поля на холлівських сенсорах з розчепленою структурою
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2009) Большакова, І. А.; Голяка, Р. Л.; Єрашок, В. Е.; Марусенкова, Т. А.