Дослідження впливу нейтронного опромінення на тонкоплівкові сенсори магнітного поля

Abstract

Досліджено вплив нейтронного опромінення на параметри тонкоплівкових сенсорів магнітного поля на основі InAs та InSb. Визначено вплив нейтронів на величину зміни параметрів сенсорів. Показано, що зміна параметрів сенсорів на основі багатошарових структур визначається не тільки поведінкою матеріалу робочого шару, а також впливом нейтронного опромінення на властивості буферних шарів цієї структури. Проведены исследования влияия нейтронного облучения на параметры тонкопленочных сенсоров магнитного поля на основе InAs и InSb. Определено влияние спектра нейтронов на величину изменения параметров сенсоров. Представлены результаты отжига радиационных дефектов облученных образцов. Показано, что изменения параметра сенсоров на основе многослойных структур определяется не только проведением,материала рабочего слоя, но и влиянием нейтронного облучения на свойства буферных слоев данной структури.The investigation of neutron irradiation e ect on the parameters of thin-film magnetic field sensors based on InAs and InSb was conducted. The e ffect of neutron spectrum on sensor parameters' change value was determined. The results of radiation defects' annealing of the irradiated samples are presented. It is shown that parameter change of the sensors based on multilayer structures are defined by not only the working layer behavior, but also by the impact of neutron irradiation on the buffer layer properties of this structure.