Browsing by Author "Голота, В. І."

Now showing 1 - 5 of 5

Архітектура й елементи інтегрованої мікросистеми на базовому матричному кристалі з КНІ-структурою
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Когут, I. T.; Дружинін, А. О.; Голота, В. І.
Запропоновано архітектуру спеціалізованого базового матричного кристала (БМК) зі структурою “кремній-на-ізоляторі” (КНІ) для побудови сенсорних мікросистем з монолітною інтеграцією чутливих елементів і схем обробки інформації. Розроблено набори бібліотечних елементів для побудови цифрових та аналогових схем оброблення інформації, уніфіковано чутливі елементи, конструктивно-технологічну основу для проектування сенсорних мікросистем з локальними планарними і тривимірними структурами “кремній-на-ізоляторі” (КНІ). In this paper the architectura of the specialized base matrix chip (BMC) on the silicon-on-insulator (SOI) structures for creation a sensory microsystem with monolithic integration of sensitive elements and data procesing elements are propoused. The library elements for development of digital, analog cirquits and standartized sensetive elements as well as the structural and technological base for sensory microsystem design on the local planar and 3D SOI-structures is created.
Архітектура і елементи сенсорної мікросистеми на основі кні базового матричного кристалу
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2009) Когут, I. T.; Дружинін, А. О.; Голота, В. І.
Приладно-технологічне моделювання керованих автоемісійних мікрокатодів на основі тривимірних кні-структур
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Дружинін, А. О.; Голота, В. І.; Когут, І. Т.; Ховерко, Ю. М.
Запропоновано два методи формування локальних тривимірних структур кремній-на-ізоляторі (КНІ). Перший – на основі стимульованого бокового епітаксійного нарощування та планаризації монокристалічної плівки кремнію. Другий – на основі локального термічного окислення кремнію під поверхнею пластини через горизонтальні тунелі. Одержані КНІ-структури використані в технології виготовлення базового матричного кристала (БМК) для побудови мікросистем. Запропоновано в склад елементів БМК долучити матриці з комірок автоемісійних мікрокатодів зі схемами керування. Розроблено технологію виготовлення і топологію комірки автоемісійного мікрокатода з керуючим високовольтним КНІ метал-окисел-напівпровідниковим транзистором. Виконано комп’ютерне моделювання статичних характеристик такого транзистора. The two methods of silicon-on-insulator (SOI) local three-dimensional structures formation are proposed. The first one is based on stimulated lateral epitaxial growth and planarization of Si monocrystal film. The second one is based on local thermal oxidation of Si buried layer through horizontal tunnels. Obtained SOI-structures are used as a base of matrix crystal fabrication technology for construction of micro-systems. It is proposed to unite cells of field emission micro-cathodes with control circuits in a structure of base of matrix crystal elements. The fabrication technology and layout of a field emission micro-cathode cell with control high-voltage SOI MOS-transistor developed. Computer simulation of static characteristics of high-voltage SOI MOS-transistor performed.
Приладно-технологічне моделювання нанорозмірних тривимірних КНІ-структур
(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Дружинін, А. О.; Когут, І. Т.; Голота, В. І.; Довгий, В. В.
Проведено комплексні дослідження, спрямовані на створення тензорезистивних сенсорів тиску на основі ниткоподібних кристалів кремпію, працездатних в умовах кріогенних та високих температур. В основу конструкції сенсора покладено систему мембрана – шток – балка з універсальним тензомодулем. Наведено вихідні характеристики розроблених сенсорів. Complex studies aimed at the creating of piezoresistive pressure sensors on the basis of silicon whiskers operating at cryogenic and high temperatures were carried out. The sensor’s design is based on the diaphragm – rod – beam system with the universal strain unit. Output characteristics of the developed sensors are presented.
Сучасний стан і напрямки розвитку нанометрової літографії (огляд)
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Голота, В. І.; Дружинін, А. О.; Когут, І. Т.
Розглянуто сучасний стан і напрямки досліджень нанометрової літографії. Наведено характеристики оптичної і альтернативних безмаскових літографій для масового виробництва ІС. Виділено напрямки досліджень і задачі, які необхідно розв’язати для створення α-версії вітчизняної матрично-емітерної літографії. Запропоновано апаратну декомпресію даних на основі модифікованого методу BWT із збільшеними буферами стискання. Запропоновано інтегровані КМОН КНІ структури на основі базових матричних кристалів для реалізації ІС, логіки, пам’яті і керування випромінювачами. The modern state and research directions of nanometer lithography are considered. Descriptions of optical and alternative maskless lithography for industrial VLSI production are presented. Research directions and tasks, which are necessary to solve for α-version of matrix emitters lithography realization are selected. The BWT hardware data decompression with extended sorting buffer is offered. The integrated CMOS SOI structures on the basis of base matrix crystals for realization of logic, memory and control VLSI for matrix emitters are offered.