Приладно-технологічне моделювання керованих автоемісійних мікрокатодів на основі тривимірних кні-структур

Abstract

Запропоновано два методи формування локальних тривимірних структур кремній-на-ізоляторі (КНІ). Перший – на основі стимульованого бокового епітаксійного нарощування та планаризації монокристалічної плівки кремнію. Другий – на основі локального термічного окислення кремнію під поверхнею пластини через горизонтальні тунелі. Одержані КНІ-структури використані в технології виготовлення базового матричного кристала (БМК) для побудови мікросистем. Запропоновано в склад елементів БМК долучити матриці з комірок автоемісійних мікрокатодів зі схемами керування. Розроблено технологію виготовлення і топологію комірки автоемісійного мікрокатода з керуючим високовольтним КНІ метал-окисел-напівпровідниковим транзистором. Виконано комп’ютерне моделювання статичних характеристик такого транзистора. The two methods of silicon-on-insulator (SOI) local three-dimensional structures formation are proposed. The first one is based on stimulated lateral epitaxial growth and planarization of Si monocrystal film. The second one is based on local thermal oxidation of Si buried layer through horizontal tunnels. Obtained SOI-structures are used as a base of matrix crystal fabrication technology for construction of micro-systems. It is proposed to unite cells of field emission micro-cathodes with control circuits in a structure of base of matrix crystal elements. The fabrication technology and layout of a field emission micro-cathode cell with control high-voltage SOI MOS-transistor developed. Computer simulation of static characteristics of high-voltage SOI MOS-transistor performed.