Browsing by Author "Губа, С. К."

Now showing 1 - 4 of 4

Моделювання кінетичних процесів газофазної епітаксії
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Воронін, В. О.; Сіверс, В. Н.; Губа, С. К.; Національний університет “Львівська політехніка”
У статті запропонована методологія узагальненого підходу до моделювання кінетичних процесів формування газової фази, перенесення складових речовин у полі нерівноважних концентрацій в умовах неоднорідного температурного поля. Для вирішення поставленого завдання використовували імовірнісні методи розрахунку характеристик енерго-та масопереносу, які базуються на розв’язуванні узагальненого рівняння Фоккера-Планка з врахуванням кінцевої швидкості рухаючих частинок. Знайдено аналітичні вирази для ключової функції густини імовірності у вигляді функції Гріна, що дозволило представити систему рівнянь дифузії в інтегральному вигляді. Розв’язок отриманих рівнянь для конкретних систем і реакторів дозволяє визначити нерівноважні концентрації компонентів як функцію координат і часу в об’ємі реактора. The generalized methodology for kinetic modeling processes of gas phase formation and transport processes in chemical systems at the field of no nequilibrium species as well as in the energy field is proposed. The probability methods of accounting the characteristics of energy- and mass-transport process based on the decision of Fokker - Plank common diffusion equation are used to solve this task. Therefore final rates of particles transport are taken into account. Analytical expression of key density probability function is found as Green's function. It has allowed presenting the system of the diffusion equations in an integrated form. The solution of the given equations for concrete transport system and reactors allows determining species real concentration as well as spacial-temporal dependencies in the volume of rector.
Однокомпонентна модель епітаксійного росту GaAs з газової фази при перехідному режимі
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001-03-27) Воронін, В. О.; Губа, С. К.; Литвин, М. О.; Національний університет "Львівська політехніка"; Фізико-механічний інститут імені Г. В. Карпенка НАН України
Описується математична модель росту арсеніду галію в хлоридній газотранспортній системі в режимі, при якому швидкість росту залежить від швидкості масодоставки і активаційних процесів на поверхні підкладки.
Характер температурних змін фізичних характеристик поверхневого шару арсеніду галію
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Губа, С. К.; Юзевич, В. М.; Курило, І. В.
Із застосуванням макроскопічних методів фізики поверхні досліджено характер температурних змін фізичних характеристик поверхневих шарів арсеніду галію (GaAs). Встановлено, що в діапазоні температур 300 – 600 K параметри k, b, ξ, які входять у рівняння стану, зросли на 6,3, 5,0 і 6,0 % відповідно. With application of macroscopical methods of physics of a surface character of temperature changes of physical characteristics of superficial layers of GaAs is investigated. It is established, that in a range of temperatures 300 – 600 K parameters k, b, ξ have increased accordingly for 6,3, 5,0 and 6,0 % respectjvely.
Числове моделювання росту шарів арсеніду галію у хлоридній газотранспортній системі
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Воронін, В. О.; Губа, С. К.; Литвін, М. О.; Рибачук, В. Г.
Описуються математичні моделі росту шарів арсеніду галію у хлоридній газотранспортній системі в режимах, при яких швидкість росту визначається швидкістю масодоставки реагентів шару, що вирощується на підкладці, дослід¬жуються газодинамічні процеси в реакторах і ріст шарів. Mathematical models of gallium arsenide crystal growth in VPE reactors are considered when the crystal growth rate is controlled by the mass-transfer of the reagents to the substrate. Gas flows is reactors and thin films growth are investigated.