Однокомпонентна модель епітаксійного росту GaAs з газової фази при перехідному режимі
Date
2001-03-27
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”
Abstract
Описується математична модель росту арсеніду галію в хлоридній
газотранспортній системі в режимі, при якому швидкість росту залежить від
швидкості масодоставки і активаційних процесів на поверхні підкладки.
The mathematical model of growth of gallium arsenide in chlorid gas transport system in a mode at which growth rate depends on speed of mass bringing and activation processes on a surface of a substrate is described.
The mathematical model of growth of gallium arsenide in chlorid gas transport system in a mode at which growth rate depends on speed of mass bringing and activation processes on a surface of a substrate is described.
Description
Keywords
Citation
Воронін В. О. Однокомпонентна модель епітаксійного росту GaAs з газової фази при перехідному режимі / В. О. Воронін, С. К. Губа, М. О. Литвин // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. — Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002. — № 443 : Радіоелектроніка та телекомунікації. — С. 169–174.