Browsing by Author "Заячук, Д. М."

Now showing 1 - 20 of 24

Вплив домішок рідкісноземельних елементів Gd і Yb на електрофізичні параметри епітаксійних шарів GaAs
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Заячук, Д. М.; Круковський, С. І.; Національний університет “Львівська політехніка”
Досліджено вплив домішок рідкісноземельних елементів Gd і Yb на електрофізичні параметри епітаксійних шарів GaAs, вирощених методом рідиннофазної епітаксії (РФЕ) з розчинів-розплавів галію. Показано, що легування вказаними домішками вихідних розплавів спричиняє зниження концентрації вільних електро¬нів у вирощуваних шарах з подальшою інверсією типу їх провідності з електронної на діркову по досягненні концентрацією домішки критичного рівня Ncr, який залежить від сорту домішки. Встановлено, що для Yb Ncr становить значення порядку 0,04 ат. %, а для Gd - порядку 0,022 ат. %. Аналізуються можливі причини і механізми впливу досліджуваних домішок на електрофізичні параметри епітаксійних шарів GaAs. Influence of Gd and Yb rare earth impurities on the electrophysical parameters of GaAs epitaxial layers grown from gallium solution-melts by LPE method is investigated. It is shown that doping of initial melts by indicated impurities causes to decreasing of free electron concentration into grown layers. The layer conductivity inverts from n- to p-type when the impurity concentration amounts to critical value Ncr depended from impurity kind. It is established that Ncr for Yb is equal to 0,04 at. % and for Gd 0,022 at. %. The possible reasons and mechanisms of investigated impurity influence on the electrophysical parameters of GaAs epitaxial layers are analysed.
Вплив комплексного легування Sn, Yb та AI на властивості товстих епітаксій них шарів GaAs, вирощених методом РФЕ
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Круковський, С. І.; Заячук, Д. М.; Мрихін, І. О.; Національний університет "Львівська політехніка"
Досліджено вплив комплексного легування домішками олова, ітербію та алюмінію розчинів-розплавів галію на електрофізичні параметри шарів GaAs, вирощуваних методом РФЕ в інтервалі температур 800-600 °С. Показано, що зазначене легування дозволяє в широких межах - від 1,5-1018 см-3 до 1 1 0 16 см-3 - керувати концентрацією вільних електронів та підвищувати їх рухливості до рівня, близького до теоретичного значення для некомпенсованих матеріалів. Аналізуються можливі механізми впливу багатокомпонентного легування на електрофізичні параметри епітаксійних шарів GaAs. The influence of complex doping with tin, ytterbium and aluminum of gallium solutions - melts on the electrophysical parameters of GaAs epitaxial layers grown by LPE method in an interval of temperatures 800-600 °C is investigated. It is shown that mentioned doping lets to control of free carrier concentration in wide range from 1,51018 up to 1-1016 cm-3 as well as to raise their mobility to the level corresponded to theoretical value for theuncompensated material. The possible mechanisms of multicomponent doping influence on electrophysical parameters of GaAs layers are analyzed.
Відпрацювання технології вирощування квантових точок в системі GaAs/InAs модифікованим методом РФЕ
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2009) Заячук, Д. М.; Круковський, С. І.; Михащук, Ю. С.
Віскери напівпровідникових матеріалів як результат конкуруючого росту нановіскерів
(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Большакова, І. А.; Заячук, Д. М.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Серкіз, Р. Я.; Стецко, Р. М.; Шуригін, Ф. М.
Наведено результати розроблення відтворюваної технології вирощування віскерів напівпровідникових сполук методом хімічних транспортних реакцій. Основою цієї технології є поетапність вирощування віскерів та поєднання в єдиному технологічному процесі кінетичного та дифузійного режимів росту. Ця технологія дозволяє отримувати високоякісні монокристалічні напівпровідникові віскери потрібних розмірів. Results of developing a reproducible technology for growing whiskers of semiconductor compounds by chemical transport reaction method are presented. The basis of the technology is its three-stage whisker growth and combination of kinetic and diffusive growth modes in single technologic cycle. The technology in question makes it possible to produce monocrystal semiconductor whiskers of high quality with required length and crosswise dimensions.
Домішки РЗЕ у напівпровідниках АIVBVI і АIIIBV: поведінка та вплив на фізичні властивості. (Огляд)
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Заячук, Д. М.; Кемпник, В. І.; Круковський, С. І.; Полигач, Є. О.; Рибак, О. В.; Національний університет “Львівська політехніка”
Подано огляд і узагальнення результатів експериментальних та технологічних досліджень поведінки і впливу домішок рідкісноземельних елементів (РЗЕ) на фізичні властивості бінарних напівпровідників PbTe, PbSe, GaAs та твердих розчинів на їх основі, одержаних авторами у співпраці зі своїми колегами-науковцями. Comprehansive review and generalization of the experimental and technological investigatins of the behaviour and influence of the rare-earth elements (REE) impurities on the physical properties of the binary PbTe, PbSe GaAs semiconductors and solid solutions based on them, obtained by authors in colaboration with their colleagues-scientists, are given.
Дослідження легованих гадолінієм кристалів телуридів свинцю і олова методом ЕПР
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Заячук, Д. М.; Кемпник, В. І.; Полигач, Є. О.
Методом ЕПР в температурному інтервалі 80-300 К досліджено поведінку домішки гадолінію в кристалах твердих розчинів Pbi-xSnxTe:Gd (0
Дослідження температурної залежності параметрів легованих мікрокристалів антимоніду індію в інтервалі температур 77÷525К
(Вісник Національного університету "Львівська політехніка", 2003) Большакова, І. А.; Заячук, Д. М.; Московець, Т. А.; Макідо, О. Ю.; Копцев, П. С.; Шуригін, Ф. М.
Досліджено вплив легуючих домішок Sn, Al, Cr та їх комплексів Sn:Al, Sn:Cr, Sn:Al:Cr на температурні залежності сталої Холла, питомої електропровідності та рухливості електронів у мікрокрислалах InSb, вирощених методом хімічних транспортних реакцій у закритій йодинній системі. Показано, що результат дії окремо взятої легуючої домішки. У дослідженій системі це приводить до того, що внаслідок комплексного легування можуть змінюватися макроскопічні параметри мікрокристалів, зокрема, їх ширина забороненої зони навіть за таких концентрацій домішок, які самостійно аналогічних змін не викликають. Influence of the Sn, Al, Cr doping impurities and their Sn:Al, Sn:Cr, Sn:Al:Cr complexes on the temperature dependence of Hall constant, electric conductivity and electron mobility in the microcrystals grown by means of chemical transport reactions in the close-tube iodide system is investigated. It's shown that one particular doping impurity effect result depends on the presence of another doping impurity in the vapor phase. In the system under investigation this causes change of macroscopic macrocrystal parametrs, gap energy among their number, even at such doping concentrations which singly do not cause corresponding changes.
Дрібні комплекси магнітних домішок у діамагнітній матриці:магнітна сприйнятливість і температура Кюрі
(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Заячук, Д. М.; Мишак, Р. М.
Проведено моделювання намагніченості і магнітної сприйнятливості (МС) дрібних комплексів магнітних домішок у діамагнітній кристалічній матриці – одиничних центрів, пар і триплетів магнітних домішок з феромагнітною і антиферомагнітною обмінною взаємодією – як функції індукції магнітного поля, температури і величини обмінних інтегралів. Підтверджено, що температурна залежність високотемпературної парамагнітної МС pm c як окремих комплексів, так їх сукупності добре описується законом Кюрі – Вейса pm /( p ) c = C T -q. Водночас показано, що на відміну від феромагнетиків чи антиферомагнетиків, температура Кюрі θр для домішок феромагнітних чи антиферомагнітних елементів у діамагнітній матриці не несе однозначної інформації про величину обмінних інтегралів, а в загальному випадку – навіть про тип обмінної взаємодії між магнітними домішками. Magnetization and magnetic susceptibility (MS) of the small complexes of magnetic impurities into the crystal diamagnetic matrix, namely single centers, pairs, and triplets of the magnetic impurities with ferromagnetic and antiferromagnetic exchange interaction as a function of magnetic field induction, temperature and magnitude of the exchange integrals is simulated. It is confirmed that the temperature dependence of high temperature paramagnetic MS pm c of both the different complexes and their aggregate can be properly described by the Curie – Weiss law pm /( p ) c = C T -q . At the same time it is shown that the Curie temperature for the impurities of ferromagnetic and antiferromagnetic elements as contrasted with ferromagnet and antiferromagnet does not give the unambiguous information about the magnitude of exchange integrals. Furthermore, in the general case it does not give even the certain information about the type of exchange interaction between the magnetic impurities.
ЕПР кристалів PbTe:G
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Заячук, Д. М.; Полигач, Є. О.; Слинько, Є. Ї.; Хандожко, О. Г.; Національний університет “Львівська політехніка”; Чернівецьке відділення ІПМ НАН України; Чернівецький Національний Університет
Досліджено спектри ЕПР монокристалів PbTe:Gd, вирощених методами Бріджмена та парової фази і легованих гадолінієм у процесі росту. Встановлено, що форма та інтенсивність ліній сигналу ЕПР іонів домішки гадолінію залежить від його концентрації, методу вирощування та типу провідності легованих кристалів, а також від способу введення легуючої домішки. Зроблено висновок, що отримані результати свідчать на користь гіпотези про утворення в процесі легування телуриду свинцю гадолінієм структурно-домішкових комплексів “домішка заміщення - вакансія телуру”. Уточнено величину g-фактора домішки гадолінію в досліджуваних кристалах при кімнатній температурі та температурі рідкого азоту. PbTe:Gd crystals grown by Bridgman and vapour phase methods and doped with Gd while growth process has been investigated. It was ascertained that both shape and intensity of EPR spectrum lines depend on Gd concentration, doping method, type of crystal conductivity and growth method. Conclusion was drown that EPR spectrum behaviors obtained for crystals under investigation give the seal to our theory about forming of “Gd3+-VTe” complexes in PbTe doped with Gd impurity. g-factor value has been specified for both room and liquid nitrogen temperatures.
Керування концентрацією носіїв заряду в епітаксійних шарах AlGaAs для лазерних структур, вирощуваних методом низькотемпературної рідинно-фазної епітаксії
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Заячук, Д. М.; Круковський, С. І.; Мрихін, І. О.; Zayachuk, D. M.; Krukovsky, S. I.; Mrykhin, I. O.; Національний університет “Львівська політехніка”
Наведено результати досліджень впливу домішки магнію на концентрацію носіїв заряду в епітаксійних шарах Al0.1Ga0.9As і Al0.28Ga0.72As, вирощених методом НТРФЕ. Показано, що якщо концентрація домішки в розчині-розплаві переважає 0.014 ат %, то концентрація вільних дірок в легованих плівках є вищою за 1·1018 см-3, що достатньо для їх використання як активних і емітерних шарів лазерної гетероструктури. Аналізується залежність результуючої концентрації дірок в епітаксійних шарах від концентрації домішки в розплаві, складу кристалічної матриці та технологічних умов гомогенізації вихідної шихти.
Кінетичні властивості мікрокристалів твердих розчинів InAs1-xSbx, вирощених методом транспортних реакцій
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Большакова, І. А.; Заячук, Д. М.; Кость, Я. Я.; Макіло, О. Ю.; Шуригін, Ф. М.
Показана можливість вирощування мікрокристалів твердих розчинів InAs1-хSbх методом хімічних транспортних реакцій в атмосфері хлористого водню. В інтервалі температур 77–450 К виконано дослідження кінетичних параметрів вирощених мікрокристалів – коефіцієнта Холла, питомого опору і рухливості електронів. Показано, що результати цих досліджень можна узгодити між собою, якщо припустити, що у досліджуваних твердих розчинах ефективна маса вільних носіїв заряду зростає з температурою за степеневим законом m ~ T0,25. Встановлено, що за високих температур в процесах розсіювання вільних носіїв заряду домінують оптичні фонони з деякою добавкою розсіювання на акустичних фононах. Визначена ширина забороненої зони досліджуваних мікрокристалів і оцінено їхній хімічний склад, який відповідав значенню х ≈ 0,15. The possibility of growing InAs1-хSbх solid solution microcrystals with the help of chemical-transport technique in hydrogen chloride atmosphere has been shown. Kinetic parameters of grown microcrystals – Hall coefficient, resistivity, and electron mobility – have been investigated in the temperature range of 77-450 K. It has been demonstrated that the results of these investigations can be agreed with each other, assuming that effective mass of free charge carriers grows with temperature according to power law m ~ T0,25 in solid solutions under research. It has been determined that at high temperatures, in the processes of free charge carrier scattering, optical phonons dominate with some addition of scattering on acoustical phonons. The breadth of band gap in microcrystals under research has been determined, and their chemical composition estimated as the one corresponding to the value of х ≈ 0.1.
Надровідні стани в кристалах телуриду свинцю, легованих європієм
(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Заячук, Д. М.; Микитюк, В. І.; Шлемкевич, В. В.; Kaczorowski, D.; Ільїна, О. С.; Пашук, А. В.
Намагніченість і магнітна сприйнятливість кристалічних та порошкових зразків PbTe:Eu
(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Заячук, Д. М.; Микитюк, В. І.; Шлемкевич, В. В.; Kaczorowski, D.
Однорідність епітаксійннх структур GaAs, вирощених методом під впливом легуючої домішки Yb
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Заячук, Д. М.; Круковський, С. І.; Полигач, Є. О.; Струхляк, Н. Я.
Експериментально досліджені низькотемпературні спектри фотолюмінесценції (ФЛ) епітаксійних шарів арсеніду галію, вирощених методом рідинно-фазної епітаксії (РФЕ) з розчинів-розплавів галію, легованих домішкою ітербію в діапазоні концентрацій від 1-Ю'3 до 1.2-10"2 ат. %. Показано, що характер спектрів ФЛ і якість вирощуваних структур суттєво залежать від концентрації легуючої домішки в розплаві Визначено діапазон концентрацій легуючої домішки, який дає змогу отримувати епітаксійні структури високого ступеня однорідності. Low-temperature photoluminescence (PL) spectra of GaAs epitaxial layers grown by liquid-phase epitaxy (LPE) method from gallium solution-melt doped with Yb impurity over the range of concentration from MO'3 till 1.2‘10'2 at. % are investigated. It is shown that both the characteristics of the PL spectra and quality of the grown structures are depended appreciably on concentration of the doping impurity into the solution. The range of doped impurity concentration, which enables to grow of epitaxial layers of large-scale homogeneity, is ascertained.
Особливості вирощування мікрокристалів GaAs під впливом домішки гадолінію
(Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Заячук, Д. М.; Рибак, В. М.; Рибак, О. В.
Досліджена взаємодія трийодиду гадолінію з As і GaAs, яка значною мірою визначає процеси зростання мікрокристалів GaAs методом хімічних транспортних реакцій в йодидних системах під впливом домішки гадолінію. Показано, що масоперенос GdI3 з зони джерела в зону кристалізації носить активаційний характер. Визначена енергія активації процесу, яка виявилась такою, що дорівнює (0,60 ± 0,015) еВ. Показано, що до температури 1 100 оС GdI3 не взаємодіє з еле- ментарним As, але взаємодіє з GaAs. Така взаємодія стимулює зростання мікро-кристалів GaAs і впливає на стан їх поверхні. Виявлено, що збільшення концентрації домішки Gd в джерелі для вирощування мікрокристалів GaAs спричиняє зростання концентрації вільних електронів у них. Експериментально визначено діапазон концентрацій домішки Gd, оптимальних для вирощування мікро-кристалів GaAs у вигляді прямокутних пластин і стрічок. The interaction of GdI3 with As and GaAs that determines to a considerable extent the growth processes of GaAs by chemical transport reaction method under influence of gadolinium impurity is investigated. It is shown that the GdI3 mass carry from source zone to crystallization one has activation character. The energy of the activation process is determined. It is equal to (0.60 ± 0.015) eV. It is shown that GdI3 does not interact with elementary As to temperature 1 100 oC, but it interacts with GaAs. Such interaction stimulates the GaAs microcrystals growth and influences on the state of their surface. It is found out that increasing of Gd impurity concentration in source for CaAs microcrystals growing causes increasing of free electron concentration. The range of Gd impurity concentration, which is optimal for CaAs microcrystals growing as right-angled plate or tape, is determined by experiment.
Особливості ЕПР активності домішки гадолінію в кристалах твердих розчинів телуридів свинцю і олова
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Заячук, Д. М.; Кемпник, В. І.; Полигач, Є. О.; Слинько, С. І.; Хандожко, О. Г.; Національний університет "Львівська політехніка"
Проведено експериментальні дослідження спектрів ЕПР кристалічних і порошкоподібних зразків p-Pb1-x-ySnyGdyTe (x = 0,2, y = 0,01). Вперше показано, що розтирання зразків досліджуваних матеріалів у порошок, а також ЇХ низькотемпературний відпал переводить іони домішки Gd з ЕПР неактивного стану Gd+ у ЕПР активний стан Gd3+, в той час як високотемпературний відпал гасить сигнал ЕПР іонів Gd. Одержані експериментальні результати інтерпретуються на основі моделі, згідно з якою зарядовий стан Gd3+домішки гадолінію в телуридах свинцю і олова є складовою частиною комплексу "домішка заміщення Gd - вакансія Те” EPR experimental study of both crystalline and powder p-Pb1-x-ySnyGdyTe samples (x = 0,2, y = 0,01) has been carried out. First it was shown, that grinding investigated materials into powder as well as their low-temperature annealing turns Gd impurity ions from EPR non-active Gd2+ state to EPR Gd3+ one, whereas high-temperature annealing quenches EPR signal from Gd ions. Obtained experimental results are discussed within the model, according to which Gd3+ charge state of the Gd impurity ions in lead and tin tellurides is the component part of the "substituting Gd impurity - Te vacancy" complex.
Особливості сегрегації домішки європію в кристалах PbTe:Eu
(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Заячук, Д. М.; Ільїна, О. С.; Пашук, А. В.; Микитюк, В. І.; Шлемкевич, В. В.
Отримання віскерів антимоніду індію за механізмом пара-рідина-кристал з Ni-каталізатором
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2009) Заячук, Д. М.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Шуригін, Ф. М.
Поведінка домішки Eu у легованих кристалах телуридів свинцю та олова, вирощених з розплаву методом Бріджмена
(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Заячук, Д. М.; Микитюк, В. І.; Пашук, А. В.; Ульяницький, К. С.; Шлемкевич, В. В.; Харко, О. В.
Поведінка рідкісноземельної домішки Eu у монокристалах PbTe, вирощених із розплаву методом Бріджмена
(Видавництво Львівської політехніки, 2010) Заячук, Д. М.; Микитюк, В. І.; Пашук, А. В.; Шлемкевич, В. В.; Швець, О.
Досліджено поведінку легуючої домішки рідкісноземельного елементу європію в кристалах PbTe:Eu під час вирощування легованих зливків з розплаву методом Бріджмена. Встановлено закономірності її розподілу вздовж осі легованих кристалічних зливків, а також деякі особливості розподілу поперек кристалів. Показано, що характер концентраційних профілів легуючих домішок Eu можна пояснити сильною залежністю коефіцієнта сегрегації домішки від її концентрації в рідкій фазі, який експоненційно зростає у разі зменшення останньої. Behavior of the rare earth impurity Eu in the PbTe single crystals grown from melt by the Bridgman method is investigated. The regularities of its distribution along of the axis of the doped crystal ingot as well as some peculiarities of distribution across the crystals are ascertained. It is shown that the character of the concentration profiles of the Eu doping impurity may be explained by strong dependence of the impurity coefficient segregation on its concentration in liquid phase, which increases exponentially if the impurity concentration decreases.