Кінетичні властивості мікрокристалів твердих розчинів InAs1-xSbx, вирощених методом транспортних реакцій
No Thumbnail Available
Files
Date
2008
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
Abstract
Показана можливість вирощування мікрокристалів твердих розчинів InAs1-хSbх методом хімічних транспортних реакцій в атмосфері хлористого водню. В інтервалі температур 77–450 К виконано дослідження кінетичних параметрів вирощених мікрокристалів – коефіцієнта Холла, питомого опору і рухливості електронів. Показано, що результати цих досліджень можна узгодити між собою, якщо припустити, що у досліджуваних твердих розчинах ефективна маса вільних носіїв заряду зростає з температурою за степеневим законом m ~ T0,25. Встановлено, що за високих температур в процесах розсіювання вільних носіїв заряду домінують оптичні фонони з деякою добавкою розсіювання на акустичних фононах. Визначена ширина забороненої зони досліджуваних мікрокристалів і оцінено їхній хімічний склад, який відповідав значенню х ≈ 0,15. The possibility of growing InAs1-хSbх solid solution microcrystals with the help of chemical-transport technique in hydrogen chloride atmosphere has been shown. Kinetic parameters of grown microcrystals – Hall coefficient, resistivity, and electron mobility – have
been investigated in the temperature range of 77-450 K. It has been demonstrated that the results of these investigations can be agreed with each other, assuming that effective mass of free charge carriers grows with temperature according to power law m ~ T0,25 in solid solutions under research. It has been determined that at high temperatures, in the processes of free charge carrier scattering, optical phonons dominate with some addition of scattering on acoustical phonons. The breadth of band gap in microcrystals under research has been determined, and their chemical composition estimated as the one corresponding to the value of х ≈ 0.1.
Description
Keywords
Citation
Кінетичні властивості мікрокристалів твердих розчинів InAs1-xSbx, вирощених методом транспортних реакці / І. А.Большакова, Д. М. Заячук, Я. Я. Кость, О. Ю. Макіло, Ф. М. Шуригін // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2008. – № 619 : Електроніка. – С. 116–121. – Бібліографія: 7 назв.