Browsing by Author "Мельник, І. І."
Now showing 1 - 4 of 4
- Results Per Page
- Sort Options
Item Вплив домішки Au на властивості мікрокристалів InSb, отриманих за методом хемічних транспортних реакцій(Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Мельник, І. І.; Московець, Т. А.; Скульський, М. Ю.Дослідженням отриманих за методом хемічних транспортних реакцій ниткоподібних кристалів InSb встановлено вплив домішки Au на інтенсивність та геометричні форми зростання мікрокристалів. Показано, що характер електричної поведінки цієї домішки в InSb залежить від умов легування. При моноатомному легуванні Au поводиться як донор. Під час комплексного легування InSb оловом та золотом останнє призводить до зменшення концентрації електронів та розкиду електрофізичних параметрів по довжині мікрокристалів більше ніж у два рази. Au DOPING INFLUENCE UPON PROPERTIES OF InSb MICROCRYSTALS OBTAINED BY MEANS OF CHEMICAL TRANSPORT REACTIONS, by Melnyk I., Moskovets T., Skulsky M. The InSb whiskers were obtained by means of chemical transport reactions. Carried out investigations defined Au-dopant influence upon intensity and geometrical shape of the microcrystals. It was approved that electric behaviour type of this impurity in InSb depends on the doping conditions. Au acts as donor at the monoatomic doping. Under the complex doping of InSb with tin and gold the last impurity leads to electron concentration decrase and more than 2 times reduces spread in electrophysical parameters with respect to the microcrystal length.Item Гідрогенізований пористий кремній в структурах сонячних елементів(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Єрохов, В. Ю.; Мельник, І. І.; Національний університет "Львівська політехніка"Метою даної роботи була розробка технології одержання ефективного та рентабельного антивідбивного покриття (ARC) на основі пористого кремнію (PS), яке було б максимально адаптоване до процесів створення кремнієвих СЕ. Завдяки оптимізації умов анодного процесу інтегральний коефіцієнт відбивання PS в діапазоні 400-1000 нм зменшено до 7,59 % для пористих шарів, вирощених на полірованій поверхні, та до 1,72 % для шарів, що вирощені на текстурованій поверхні. Мінімізація оптичних втрат дозволила підвищити на більше ніж 50 % струм короткого замикання для моно- та мультікристалічних СЕ, на фронтальній поверхні яких було сформовано ARC на основі PS. При цьому приріст ККД по відношенню до СЕ без ARC склав 31 та 22 %, відповідно. The purpose of present paper was development of technology of generation of efficient and cost-effective porous silicon (PS) based antireflection coating (ARC), which would be the most adapted to the silicon solar cell (SC) processing sequence. Owing to optimization of anodization process conditions the average reflection coefficient of PS in range of 400-1000 nm was decreased to 7,59 % for porous layers, grown on polished surface, and to 1,72 % for layers that were grown on textured surface. Minimization of optical losses allowed to improve short circuit current by over than 50 % for mono- and multicrystalline SC that had PS based ARC formed on frontal surface. Under this, the increment of efficiency of these SCs (in comparison to SC without ARC) was 31 and 22 %, correspondingly.Item Дослідження впливу легування домішковими комплексами на основі Sn, Сг, Mn, Аl, на електрофізичні властивості мікрокристалів InSb(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Большакова, І. А.; Мельник, І. І.; Московець, Т. А.; Національний університет “Львівська політехніка”Для підвищення радіаційної стійкості чутливих елементів магнітних мікросенсорів на основі мікромонокристалів InSb розроблено основи технології їх комплексного металургійного легування. Досліджено вплив легування мікрокристалів InSb домішками Sn, Au, Аl, Сг і Мn на електрофізичні параметри виготовлених на їх основі чутливих елементів магнітних мікросенсорів, їх часову стабільність та стійкість до опромінення швидкими нейтронами. Встановлено, що для мікрокристалів InSb необхідний діапазон концентрації вільних носіїв заряду від рівня власної провідності до 1019 см -3 забезпечує домішка Sn, а додаткове введення домішки Сг сприяє підвищенню рівня радіаційної стійкості та часової стабільності параметрів мікрокристалів InSb. Показано можливість використання комплексного металургійного легування InSb для створення давачів Холла, які можуть ефективно працювати в умовах підвищеної радіації.Item Дослідження рівноважного складу газової фази систем InSb-Sn-J2 ТА InAs-Sn-J2(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Большакова, І. А.; Воронін, В. О.; Копцев, П. С.; Мельник, І. І.; Московець, Т. А.Комп'ютерним моделюванням досліджено рівноважний склад газової фази систем InSb-Sn-J2 та InAs-Sn-J2 в температурному діапазоні 650^1200 K. Проведено кількісний розрахунок парціальних тисків компонент газової фази. Встановлено вплив домішки олова на рівноважний склад газової фази. Equilibrium composition of InSb-Sn-J2 та InAs-Sn-J2 system gas phases was investigated by means of computer modeling within the temperature range of 650^1200 K. Quantitative calculation was carried out of the partial pressures of gas phase components. Tin doping influence upon equilibrium composition of gas phase was defined.