Дослідження впливу легування домішковими комплексами на основі Sn, Сг, Mn, Аl, на електрофізичні властивості мікрокристалів InSb
No Thumbnail Available
Date
2001
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
Abstract
Для підвищення радіаційної стійкості чутливих елементів магнітних мікросенсорів на основі мікромонокристалів InSb розроблено основи технології їх комплексного металургійного легування. Досліджено вплив легування мікрокристалів InSb домішками Sn, Au, Аl, Сг і Мn на електрофізичні параметри виготовлених на їх основі чутливих елементів магнітних мікросенсорів, їх часову стабільність та стійкість до опромінення швидкими нейтронами. Встановлено, що для мікрокристалів InSb необхідний діапазон концентрації вільних носіїв заряду від рівня власної провідності до 1019 см -3 забезпечує домішка Sn, а додаткове введення домішки Сг сприяє підвищенню рівня радіаційної стійкості та часової стабільності параметрів мікрокристалів InSb. Показано можливість використання комплексного металургійного легування InSb для створення давачів Холла, які можуть ефективно працювати в умовах підвищеної радіації.
Description
Keywords
Citation
Большакова І. А. Дослідження впливу легування домішковими комплексами на основі Sn, Сг, Mn, Аl, на електрофізичні властивості мікрокристалів InSb / І. А. Большакова , І. І. Мельник, Т. А. Московець // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2001. – № 430 : Електроніка. – С. 47–54. – Бібліографія: 4 назви.