Browsing by Author "Пелещак, P. M."
Now showing 1 - 4 of 4
- Results Per Page
- Sort Options
Item Вплив електронної підсистеми на енергетичне положення локалізованих рівнів на крайовій дислокації(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Баран, М. М.; Пелещак, P. M.; Лукіянець, Б. А.У межах однозонної моделі з врахуванням самоузгодженої електрон-деформаційної взаємодії досліджено вплив концентрації електронів провідності на енергію локалізованого стану електрона на крайовій дислокації. Показано, що у слаболегованих напівпровідниках ( < 1017слГ3 j з ростом концентрації електронів провідності дно зони провідності зсувається в бік менших енергій, а в сильнолегованих (7 <п0 <1019ои_3 j енергетичний зсув дна зони провідності має немонотонний характер. In the frames of single zone model including interchangeable electron-differential interaction, the influence of electron resistance concentration on the energy of electron localized stage is researched on the edged dislocations. It in shown, that in the little resistance electron concentration semiconductors with its growth of electron resistance concentration ( < 1017 cm“3 ) the bottom of resistance zone moves to the side of less energies, and in the large resistance electron concentration semiconductors (17 < щ <1019слГ3j, the energetic movement of the bottom of resistance zone has unmonotonous character.Item Деформаційна залежність енергії утворення 2s-екситона у напруженій квантовій ямі ZnSe/ZnS(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Пелещак, P. M.; Романів, І. Б.; Національний університет "Львівська політехніка"В рамках моделі еквівалентного гамільтоніана розглянуто спосіб розрахунку енергії утворення 2 s-екситона в одиничній напруженій квантовій ямі з врахуванням не тільки квантово-розмірних, а й деформаційних ефектів, що виникають в епітаксійних шарах через неузгодженість параметрів ґраток двох кристалічних структур ~4 %. Товщини нарощуваних шарів лежать в межах дії пружних деформацій. Досліджено вплив всебічної та одновісної деформації в епітаксійному шарі ZnSe в гетероструктурі ZnSe/ZnS на довжину хвилі, яка відповідає максимуму інтенсивності 1s- та 2 s-екситонів біля краю основної полоси поглинання. Проведено порівняння отриманих результатів з експериментальними даними, отриманими зі спектрів низькотемпературної фотолюмінесценції. In the frame of the equivalent hamiltonian model the calculation method of the 2s-exciton formation energy in the single quantum well is represented. It was take into consideration not only the quantum confinement, but also the deformation effects caused in the epitaxial layers by the lattice mismatch both crystalline structures ~4 %. The thicknesses of the grown layers is in the limit of the elastic strains. The effect of the hydrostatic and the nonhydrostatic strains in the ZnSe epitaxial layer in the ZnSe/ZnS heterostructure on the wavelength which corresponds to the 1s- and 2s-excitons maximum of the intensity near the edge of the main absorption line was investigated. The comparison of these results with the experimental values that was obtain from the law temperature photoluminescence spectra is carried out.Item Спектр носіїв δ-легованих кремнієм шарів GaAs (100)(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Рудницький, С. В.; Пелещак, P. M.; Дрогобицький державний педагогічний університет ім. І. ФранкаУ роботі розв’язана задача на знаходження енергетичного спектра GaAs періодично δ-легованого кремнієм. Розв’язання виконане в межах методу дефор¬маційного потенціалу. Потенційний профіль моделювався δ-функцією Дірака. Отримано кількісні залежності параметра деформації (emech) для GaAs і Si від тов¬щини δ-шару (Lw) та міжшарової відстані (Ь). Ці залежності виявилися спадними з ростом Lw та зростаючими з ростом Ь. Пояснено наявність у спектрах фотолю¬мінесценції δ-лінії в діапазоні hv = 1,47 - 1,48 еВ, зокрема, при Lw= 10 А досягнуто задовільного збігу з експериментальними даними з фотолюмінесценції. Energetical spectra of δ-doped GaAs by Si have been solved. The solve has been studied by deformation’s potencial method. We chosen Dirack’s δ-function for potential profile. It is found Lw- (thickness of δ-layer) and b- (thickness of GaAs layer) dependences of deformation’s parametrs (e mech), they decrease when Lw increases and increase when b increases. It is found Lw- and b- dependences of energetical spectra. They decrease for electron’s level and decrease for hole’s level. It is explain appearance in photoluminescence spectra δ-band near hv= 1.47*1.48eV. We received results similar to experi¬ment’s near Lw= 10А.Item Ізоелектронно-концентраційні лінії навколо крайової дислокації(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Баран, М. М.; Пелещак, P. M.; Лукіянець, Б. А.; Національний університет "Львівська політехніка"У рамках зонної моделі з урахуванням електрон-деформаційної взаємодії розраховано ізоелектронно-концентраційні лінії навколо крайової дислокації залежно від ступеня заповнення зони провідності. Показано, що із зростанням ступеня заповнення зони провідності ізоконцентраційні лінії стискуються вздовж дислокаційної площини. А з наближенням до ядра дислокації ізоелектронно- концентраційним лініям відповідають більші густини заряду. In frames of a zone model taking into account electron-deformation interaction, the izoelectronic-concetrational lines are counted up around the edged dislocation depending on the filling in degree of conduction zone.There is shown that with the growth of filling in degree of conduction zone,the izoconcentrational lines are squeezed along the dislocation square on. There is also shown that with the approaching to the nucleus of dislocation, more denses of charge refer to izoelectronic-concentrational lines.