Вплив електронної підсистеми на енергетичне положення локалізованих рівнів на крайовій дислокації

Abstract

У межах однозонної моделі з врахуванням самоузгодженої електрон-деформаційної взаємодії досліджено вплив концентрації електронів провідності на енергію локалізованого стану електрона на крайовій дислокації. Показано, що у слаболегованих напівпровідниках ( < 1017слГ3 j з ростом концентрації електронів провідності дно зони провідності зсувається в бік менших енергій, а в сильнолегованих (7 <п0 <1019ои_3 j енергетичний зсув дна зони провідності має немонотонний характер. In the frames of single zone model including interchangeable electron-differential interaction, the influence of electron resistance concentration on the energy of electron localized stage is researched on the edged dislocations. It in shown, that in the little resistance electron concentration semiconductors with its growth of electron resistance concentration ( < 1017 cm“3 ) the bottom of resistance zone moves to the side of less energies, and in the large resistance electron concentration semiconductors (17 < щ <1019слГ3j, the energetic movement of the bottom of resistance zone has unmonotonous character.