Ізоелектронно-концентраційні лінії навколо крайової дислокації

Loading...
Thumbnail Image

Date

2002

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Publisher

Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"

Abstract

У рамках зонної моделі з урахуванням електрон-деформаційної взаємодії розраховано ізоелектронно-концентраційні лінії навколо крайової дислокації залежно від ступеня заповнення зони провідності. Показано, що із зростанням ступеня заповнення зони провідності ізоконцентраційні лінії стискуються вздовж дислокаційної площини. А з наближенням до ядра дислокації ізоелектронно- концентраційним лініям відповідають більші густини заряду. In frames of a zone model taking into account electron-deformation interaction, the izoelectronic-concetrational lines are counted up around the edged dislocation depending on the filling in degree of conduction zone.There is shown that with the growth of filling in degree of conduction zone,the izoconcentrational lines are squeezed along the dislocation square on. There is also shown that with the approaching to the nucleus of dislocation, more denses of charge refer to izoelectronic-concentrational lines.

Description

Keywords

Citation

Баран М. М. Ізоелектронно-концентраційні лінії навколо крайової дислокації / М. М. Баран, Р. М. Пелещак, Б. А. Лукіянець // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 455 : Електроніка. – С. 185–191. – Бібліографія: 11 назв.

Endorsement

Review

Supplemented By

Referenced By