Browsing by Author "Смеркло, Л. М."
Now showing 1 - 14 of 14
- Results Per Page
- Sort Options
Item Багатофункціональні генератори-синтезатори сигналів для медичних електронних систем(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Дорош, Н. В.; Кучмій, Г. Л.; Смеркло, Л. М.; Національний університет "Львівська політехніка"Наведено методи синтезу сигналів спеціальної форми із заданими параметрами у часовій області для задач моделювання та тестування медичної електронної апаратури. Розглянуто особливості структурної організації багатофункціональних генераторов-синтезаторів біомедичних сигналів на базі мікропроцесорних схем з цифровою пам’яттю та показано результати синтезу електрокардіосигналів. The metods for synthesis of signals of the special form with required parameters in time range for tasks of modeling and testing the medical electronic equipment are given. The features of structural organization of multifunctional generators-synthesizers of biomedical signals on the basis of the microprocessor circuits with digital memory are considered. The results of electrocardiosignals synthesis are shown.Item Взаємозв’язок конструктивних параметрів і електричного опору мікроконтактного з’єднання в ІС(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Дячок, Д. Т.; Смеркло, Л. М.; Невзоров, В. В.Наведено математичний аналіз залежності електричного опору мікроконтактного з’єднання (МКЗ) від його геометричних розмірів і перехідного опору. Розроблено програми розрахунку. Встановлено, що у запропонованій моделі ширина і товщина плівкового провідника здебільшого не істотно, а зміна діаметра дроту – істотно впливають на опір МКЗ. Для малих розмірів МКЗ його опір визначається, переважно, перехідним контактним опором. The mathematical equations for analysis of dependence of electric resistance of microcontact connection (MCC) on its dimension and intermediate resistance are considered. The computation software is designed. It is established that in proposed model the width and thickness of film conductor layer do not influence on MCC resistance and change of wire diameter impacts greatly on MCC resistance. For small MCC dimension its resistance is determined by intermediate contact resistance.Item Вибір оптимальної форми комірки та варіанта їх розміщення на кристалі при проектуванні ДМОН ПТ(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2003) Невзоров, В. В.; Смеркло, Л. М.Розглянуто вплив форми комірок та їх розташування на опір потужного ДМОН транзистора у відкритому стані. Показано, що трикутні комірки мають перевагу над комірками квадратної та гексагональної форми. Considered the influence of cell’s form and their disposition on resistance of powerful MOS transistor in open state. It is shown, that three-cornered cells get advantage in compare of square and hexagonal forms.Item Високоефективні резонатори на поверхневих акустичних хвилях(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Смеркло, Л. М.; Шкоропад, В. П.Розглянуто питання розробки високоефективних резонаторів на ПАХ. Наведено методику їх розрахунку. Досліджено залежність добротності від кількості елементів решітки і від питомого опору плівки, що формує топологію рисунка резонаторів. Визначено похибку встановлення центральної частоти. The design of high-efficient resonators on surface acoustik waves is considered. The method of resonators calculations is presented. The dependence of Q-factor on grate element amount and on specific resistance of film which forms resonator topological image is investigated. The error of central freguency set is determined.Item Зменшення дефектоутворення в технології виготовлення потужних ДМОН-транзисторів(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Невзоров, В. В.; Смеркло, Л. М.Показано вплив дефектів та дислокацій на електричні параметри потужних ДМОН-транзисторів. Досліджено гетерування дефектів за допомогою іонної імплантації вольфраму. Запропоновано засоби зменшення дефектоутворення при проведенні технологічних операцій. The influence of imperfections and dislocation on the electrical parameters of power DMOS transistors is presented in this paper. The imperfection gettering by W ions implantation is investigated. Methods for reduction of imperfection at technological process are proposed.Item Комбінований спосіб виготовлення товстоплівкових НВЧ плат(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Смеркло, Л. М.; Дячок, Д. Т.; Кучмій, Г. Л.; Львівський науково-дослідний радіотехнічний інститут; Національний університет “Львівська політехніка”Розглянуто спосіб виготовлення товстоплівкових плат на основі металоорганічної пасти 4783 з гальванічно нарощеним поверх впаленої пасти шаром міді для мікроелектронних пристроїв НВЧ діапазону. Запропоновано склад селективного травника срібного шару із пасти 4783.Item Покращання відтворюванності порогової напруги Дмон-ПТ(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Невзоров, В. В.; Смеркло, Л. М.; Дорош, Н. В.; Національний університет "Львівська політехніка"Досліджено вплив методу стравлювання тонкого приповерхневого шару кремнію на порогову напругу ДМОН транзисторів. Показано, що метод стравлювання тонкого приповерхневого шару кремнію покращує відтворюванність порогової напруги і підвищує пробивну напругу окислу. The influence of a method of etch removal of silicon thin surface layer on threshold voltage of DMOSFETs is investigated. It is shown, that the method of etch removal of silicon thin surface layer improves repeatability of threshold voltage and increases oxide breakdown voltage.Item Принцип побудови основних компонентів САПР для потужних МОН ПТ(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001-03-27) Смеркло, Л. М.; Невзоров, В. В.; Беген, В. І.; Невзорова, Т. В.; Галкіна, Л. В.; Львівський науково-дослідний радіотехнічний інститут; Національний університет "Львівська політехніка"Розглянута структура та принципи побудови САПР для проектування потужних МОН ПТ. Розглянуті особливості МОН ПТ, які заважають прийняттю оптимальних конструкторсько-технологічних рішень. Показано, що САПР для потужних МОН ПТ повинна сприяти забезпеченню високих техніко-економічних показників транзисторів, які проектуються.Item Результати випробувань резисторів із паст серій 0800 і 4400, виготовлених на підкладках із кераміки ВК96-1(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Смеркло, Л. М.; Дячок, Д. Д.; Кучмій, Г. Л.; Львівський науково-дослідний радіотехнічний інститут; Національний університет "Львівська політехніка"Розглянуто питання кліматичних і механічних випробувань товстоплівкових резисторів із паст серій 0800 і 4400, виготовлених на підкладках із кераміки ВК96-1. Наведено результати досліження зміни номіналу резисторів після дії термоциклів, підвищеної і пониженої температури та ударів. The climatic and mechanical tests of thick-film resistors made from pastes of 0800 and 4400 series that are produced on BK96-1 ceramic substrate are considered. The results of investigation of variation of resistor values apten action of thermocycle high and low temperature, stresses are presented.Item Розробка та моделювання програмного інтерфейсу з нелінійною картою ріодераку для медичних систем електропунктурної експрес- діагностики(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2004-02-18) Дорош, Н. В.; Кучмій, Г. Л.; Кунтий, Ю. В.; Смеркло, Л. М.; Національний університет "Львівська політехніка"; Львівський науково-дослідний радіотехнічний інститутРозглянуто основні методи та системи електропунктурної діагностики. Наведено методи і результати розробки інтерфейсних програм-оболонок для відображення результатів експрес-аналізу функціонального стану людини на основі дослідження біоактивних точок (БАТ) організму.Item Спосіб вимірювання опору контактного з'єднання мікродроту і плівкового провідника(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2003) Дячок, Д. Т.; Павлиш, В. А.; Смеркло, Л. М.Розглянуто питання вимірювання електричного опору мікроконтактного з'єднання дроту і плівкового провідника в інтегральних мікросхемах і мікроскла- даннях. Запропоновано спосіб, який підвищує точність вимірювання. The problems of measurement of electrical resistance of mikrocontact connection of wire and film conductor in integrated microcircuits and microassemblies are considered. The new method which improves measuring precision is proposed.Item Співробітництво Львівського науково-дослідного радіотехнічного інституту і радіотехнічнго факультету НУ "Львівська політехніка"(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001-03-27) Обуханич, Р. В.; Смеркло, Л. М.; Гут, І. І.; Львівський наково-дослідний радіотехнічний інститутItem Термостабілізація імпульсного транзисторного підсилювача потужності(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Семенюк, А. Й.; Юрченко, Л. Д.; Грозь, М. М.; Смеркло, Л. М.; Національний університет “Львівська політехніка”Розглянуто особливості розробки потужних імпульсних НВЧ транзисторних підсилювачів у широкому діапазоні температур. Вибрано принцип термостабілізації і запропоновано схему термостабілізації імпульсного потужного НВЧ підсилювача потужності. Наведено результати експериментальних досліджень. The details of the development of the microwave power pulse transistor amplifiers have been considered with regard to a wide temperature range. The principle of heat setting has been defined. The heat setting circuit of the power amplifier has been designed. The results of the experimental investigation have been presented.Item Технологія виготовлення прецизійних діафрагм хвилевідних НВЧ-пристроїв міліметрового діапазону(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Дорош, Н. В.; Кучмій, Г. Л.; Смеркло, Л. М.Сучасні селективні пристрої, які використовують в мікроелектронних приладах НВЧ-діапазону, вимагають високої точності та малих втрат. У роботі наведено результати розроблення технології виготовлення прецизійних діафрагм на основі міді, яку можна використати для виготовлення мікроелектронних НВЧ-пристроїв. Modern selective devices, that are widely used in microelectronic equipment of UHF range, require high accuracy and low losses. The results of elaboration of manufacturing technology for precise diaphragms based on copper, which can be used for production of UHF devices, are considered at this paper.