Вибір оптимальної форми комірки та варіанта їх розміщення на кристалі при проектуванні ДМОН ПТ

Abstract

Розглянуто вплив форми комірок та їх розташування на опір потужного ДМОН транзистора у відкритому стані. Показано, що трикутні комірки мають перевагу над комірками квадратної та гексагональної форми. Considered the influence of cell’s form and their disposition on resistance of powerful MOS transistor in open state. It is shown, that three-cornered cells get advantage in compare of square and hexagonal forms.