Browsing by Author "Харамбура, С. Б."

Now showing 1 - 7 of 7

Вивчення явища електромагнітної індукції у лабораторному практикумі у курсі загальної фізики
(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Романюк, Г. В.; Романюк, М. М.; Харамбура, С. Б.
Вимірювання горизонтальної складової індукції магнітного поля Землі у фізичному практикумі із курсу загальної фізики
(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Біленька, О. Б.; Романюк, Г. В.; Романюк, М. М.; Харамбура, С. Б.
Вимірювання електрорушійної сили джерела струму компенсаційним методом у курсі студентського лабораторного практикуму
(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Біленька, О. Б.; Романюк, М. М.; Харамбура, С. Б.; Юр’єв, С. О.
Вплив технологічних параметрів на розміри зерен при осадженні селеніду цинку з газової фази
(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Білинський, Ю. М.; Дубельт, С. П.; Логуш, О. І.; Харамбура, С. Б.
Максимально допустимі концентрації переносників NH4X (Х=Вг,С1) при вирощуванні CdxHgi-xTe методом хімічних транспортних реакцій
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Ільчук, Г. А.; Українець, В. О.; Данилов, А. Б.; Українець, Н. А.; Харамбура, С. Б.
На основі результатів розрахунку рівноважного складу парової фази системи CdxHgi_xTe-Hg-NH4Br при заданих тисках Hg в інтервалі температур 560-860К і надлишкових тисків Ар = 103-=-105 Па визначені речовини, які вносять основний вклад в масоперенесення кадмію, ртуті і телуру - CdBr2, Hg, Те2. Для телурової границі області гомогенності CdxHgi_xTe складів х = 0.2; 0.3; 0.4 та відхилень від неї в бік металічної границі твердого розчину (для різних тисків ртуті в системі) визначені максимально допустимі концентрації броміду амонію, що відповідають утворенню насичених парів диброміду кадмію в системі CdxHgi_xTe -Hg-NH4Br. При проведенні процесів росту CdxHgi_xTe в системі CdJlg,_vTe —Hg-NH4C1 у досліджуваному інтервалі температур і надлишкових тисків обмеження на використовувану концентрацію переносника NH4C1 практично не існує. The substances (CdBr2, Hg, Te2) that make main contribution into mass transfer of cadmium, mercury and tellurium are determined from the results of computation of vapor phase equilibrium composition of CdxHgi-xTe-Hg-NH4Br system in temperature range 560-860 K for excess pressure Ар = 103-=-105Pa and controlled pressures of mercury. Maximum allowable concentrations of ammonium bromide that correspond to formation of saturated vapor of cadmium dibromide in the system Cd,Hg,Te-Hg-NH4Вr were determined for CdxHgbxTe (with composition x = 0.2; 0.3; 0.4) homogeneity region limit from the tellurium side and for deviation of side to metallic limit of solid solution for different pressures of mercury in the system. It was shown that in the studied temperature and excess pressure ranges there is practically no limit on NHjCl concentration in the system CdxHgbxTe-Hg- NH4Br when CdxHg,.xTe is grown.
Оптичні властивості ферогранатових епітаксійних структур
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Ющук, С. І.; Юр ’єв, С. О.; Бондар, В. І.; Ніколайчук, В. Й.; Харамбура, С. Б.
Досліджено оптичні спектри пропускання епітаксійних структур залізо-ітрієвого та залізо-галій-ітрієвого гранатів. Отримано залежності коефіцієнтів поглинання від довжини світлової хвилі у видимій і близькій інфрачервоній областях На основі аналізу і обробки інтерференційних картин розраховано показники заломлення ферогранатових плівок і підкладок з галій-гадолінієвого гранату в широкому інтервалі довжин хвиль та товщини плівок.
Релаксаційні струми деполярзації в ортогерманаті вісмуту
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Бордун, О. М.; Бордун, І. М.; Харамбура, С. Б.; Національний університет “Львівська політехніка”
Досліджено релаксаційні струми деполярзації в монокристалах, кераміках і тонких плівках Bi4Ge3O12 в температурному інтервалі 80 - 295 K. Визначено часи релаксації та енергії активації деполяризації. Встановлено, що при зростанні дефектності кристалічної структури збільшується значення релаксаційного струму і зменшується енергія активації деполяризації. The relaxation currents of depolarization in single crystals, ceramics and thin films Bi4Ge3O12 was investigated in temperature region 80 - 295 K. The relaxation times and energy activation of depolarization was determinated. At increase of defects of crystalline structure the value of relaxation current increased and value of energy activation of depolarization decreased.