Browsing by Author "Guminilovych, Ruslana"

Now showing 1 - 9 of 9

Influence of the deposition time on the structure and optical properties of indium sulfide films (In2S3)
(Видавництво Львівської політехніки, 2017-12-23) Hlad, Roman; Shapoval, Pavlo; Stadnik, Vitalii; Sozanskiy, Martyn; Guminilovych, Ruslana; Yatchyshyn, Yosyp; Lviv Polytechnic National University
The process of synthesis of indium sulphide (In2S3) semiconductor thin films by a chemical synthesis method was done. The acetic acid has been used as a complexing agent. Ivestigations of thin films properties were carried out by using X-ray powder diffraction, scanning eletron microscopy, optical spectroscopy. The phase composition, optical transmission and absorption spectra of In2S3 films were studied. The value of bang gap energy has been experimentally determined from spectral dependences of optical transmission of In2S3 films, and ranges from 2,31 to 2,55 eV.
Investigation of hgse films, deposited from aqueous solutions with different complexing agents
(Видавництво Львівської політехніки, 2017-12-23) Chaykivska, Ruslana; Sozanskyi, Martyn; Stadnik, Vitalii; Guminilovych, Ruslana; Shapoval, Pavlo; Yatchyshyn, Yosyp; Lviv Polytechnic National University
The process of synthesis of mercury selenide (HgSe) thin films by a chemical bath deposition method (CBD) with using different complexing agents (potassium rodanide, potassium iodide and sodium thiosulfate) has been investigated. The phase composition, crystal structure, absorption spectra, surface morphology of HgSe films were studied. The effect of nature of complexing agent on the properties of obtaining coatings was shown. The HgSe films have a sphalerite structure, nearly stoichiometric atomic ratios of mercury to selenium and optical band gaps, which are localized in the ranges 1.38-2.40 eV, depending on the usage of complexing agent.
Investigation of some regularities of ZnS and ZnSe films synthesis
(Lviv Polytechnic Publishing House, 2016) Sozanskyi, Martyn; Chaykivska, Ruslana; Guminilovych, Ruslana; Shapoval, Pavlo; Yatchyshyn, Yosyp; Lviv Polytechnic National University
The process of synthesis ZnS and ZnSe thin films by a chemical bath deposition method (CBD) has been investigated. The phase composition, surface morphology and thickness of ZnS and ZnSe films were studied. The kinetic curves of ZnS and ZnSe synthesis was obtained and activation parameters were calculated. The correlation between thickness, morphology and activation energy have been established.
Investigation the structures CdSe/CdS, CdS/CdSe for production of solar cells
(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Guminilovych, Ruslana; Shapoval, Pavlo; Yatchyshyn, Yosyp; Kusnezh, Viktor; Sozanskiy, Martyn; Il’chuk, Hryhoriy
The process of obtaining CdS and CdSe thin films by a chemical surface deposition method (CSD) has been investigated. The optical transmission, absorption spectra, surface morphology of films and degree of phase uniformity, crystallinity of structures based on CdS and CdSe films have been studied.
Investigation the structures ZnS/HgS, HgS/ZnS
(Lviv Polytechnic Publishing House, 2015) Sozanskyi, Martyn; Shapoval, Pavlo; Yatchyshyn, Yosyp; Stadnik, Vitaliy; Chaykivska, Ruslana; Guminilovych, Ruslana; Lviv Polytechnic National University
The process of synthesis ZnS and HgS thin films by a chemical bath deposition method (CBD) has been investigated. The phase composition, optical transmission, absorption spectra, surface morphology of films and structures based on ZnS and HgS films have been studied.
Modeling of chemical surface deposition (CSD) of CdS and CdSe semiconductor thin films
(Publishing House of Lviv Polytechnic National University, 2015) Guminilovych, Ruslana; Shapoval, Pavlo; Yatchyshyn, Iosyp; Shapoval, Stepan
A mathematical model of the chemical surface deposition process of CdS and CdSe thin films, which allows determining the concentration of reagents, as well as duration and temperature for CSD needed to obtain films of the set thickness was designed. The adequacy of model was tested by Fisher's criterion. The nomogram of dependence of cadmium ions content on the initial deposition parameters was built according to the results of experimental studies and approximated by mathematical dependence. Розроблена математична модель процесу хімічного поверхневого осадження тонких плівок CdS та CdSe, яка дає можливість визначити концентрації реагентів, тривалість та температуру ХПО, необхідні для одержання плівок заданої товщини. Адекватність моделі перевірено за критерієм Фішера. За результатами експериментальних досліджень побудована номограма залежності вмісту йонів кадмію від вихідних параметрів осадження, яка апроксимована математичною залежністю.
Optimization of Synthesis Conditions of Mercury Selenide Thin Films
(Видавництво Львівської політехніки, 2020-03-16) Sozanskyi, Martyn; Stadnik, Vitalii; Shapoval, Pavlo; Yatchyshyn, Iosyp; Guminilovych, Ruslana; Shapoval, Stepan; Lviv Polytechnic National University
На скляних підкладках методом хімічного осадження отримані плівки меркурій селеніду (HgSe). Використано водні розчини меркурій(II) нітрату, натрію тіосульфату, натрію селеносульфату та тринатрій цитрату. Проведено рентгенофазовий та елементний аналіз зразка плівки. Досліджено вплив концентрації вихідних реагентів, тривалості та температури синтезу на масу плівок HgSe та обчислено товщину покриттів. Досліджено оптичні та морфологічні властивості покриття HgSe. Обговорено механізм осадження
Synthesis and properties of mercury selenide films deposited by using pottasium iodide as complexing agent
(Lviv Politechnic Publishing House, 2017-01-20) Sozanskyi, Martyn; Stadnik, Vitalii; Chaykivska, Ruslana; Guminilovych, Ruslana; Shapoval, Pavlo; Yatchyshyn, Iosyp; Lviv Polytechnic National University
Методом хімічного осадження ванн отри- мано плівки меркурій селеніду (HgSe) на скляних підкладках з використанням водних розчинів меркурій(II) нітрату, калій йодиду і натрій селеносульфату. Проведено рентгенофазовий та структурний аналіз отриманих зразків плівок за двох різних температур синтезу. Досліджено вплив тривалості осадження на оптичні та морфологічні властивості плівок HgSe. Обговорено механізм осадження.
The conditions effect of obtaining CdS and CdSe films on their structural and optical properties
(Publishing House of Lviv Polytechnic National University, 2013) Shapoval, Pavlo; Guminilovych, Ruslana; Yatchyshyn, Iosyp
The conditions effect of obtaining CdS and CdSe thin films by a chemical surface deposition method (CSD)on their structural and optical properties has been studied. The optical transmission, absorption spectra and surface morphology of films and degree of phase uniformity were investigated. The content of cadmium ions in the obtained coatings by the method of voltammetry inversion was defined. The thickness of the obtained semiconductor films was calculated according to the mass of cadmium. The optimum conditions for obtaining CSD films of the given thickness with a minimum number of defects on the surface were established. Досліджено вплив умов одержання тонких плівок CdS і CdSe методом хімічного поверхневого осадження (ХПО) на їх структурні та оптичні властивості. Досліджено оптичні спектри пропускання та поглинання, морфологію поверхні плівок та ступінь їх фазової однорідності. Методом інверсійної вольтамперометрії визначено вміст йонів кадмію в одержаних покриттях. За отриманими даними маси кадмію розраховано товщини отриманих напівпровідникових плівок. Встановлено оптимальні умови ХПО для одержання плівок заданої товщини з мінімальною кількістю дефектів на поверхні.