Modeling of chemical surface deposition (CSD) of CdS and CdSe semiconductor thin films

Abstract

A mathematical model of the chemical surface deposition process of CdS and CdSe thin films, which allows determining the concentration of reagents, as well as duration and temperature for CSD needed to obtain films of the set thickness was designed. The adequacy of model was tested by Fisher's criterion. The nomogram of dependence of cadmium ions content on the initial deposition parameters was built according to the results of experimental studies and approximated by mathematical dependence. Розроблена математична модель процесу хімічного поверхневого осадження тонких плівок CdS та CdSe, яка дає можливість визначити концентрації реагентів, тривалість та температуру ХПО, необхідні для одержання плівок заданої товщини. Адекватність моделі перевірено за критерієм Фішера. За результатами експериментальних досліджень побудована номограма залежності вмісту йонів кадмію від вихідних параметрів осадження, яка апроксимована математичною залежністю.