Фізико-математичні науки. – 2009. – №660

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/6336

Вісник Національного університету "Львівська політехніка"

У Віснику публікуються результати оригінальних наукових досліджень з різних розділів математики, фізики та прикладних аспектів цих наук. Публікуються також оглядові статті з нових перспективних напрямів досліджень та роботи з історії і методології фундаментальних наук. Для наукових співробітників, викладачів вищих навчальних закладів, інженерів, аспірантів.

Вісник Національного університету «Львівська політехніка» : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет «Львівська політехніка». – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2009. – № 660 : Фізико-математичні науки / відповідальний редактор П. І. Каленюк. – 104 с. : іл.

Browse

Author: search.filters.author.Рудий, I. О.Subject: search.filters.subject.misfit dislocation

Search Results

Now showing 1 - 1 of 1
  • Thumbnail Image
    Item
    Формування структури плiвок II–VI, отриманих рiзними методами
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2009) Рудий, I. О.; Лопатинський, I. Є.; Фружинський, М. С.; Курило, I. В.; Юречко, Р. Я.; Вiрт, I. С.
    Методом електронографiї дослiджено початковi стадiї нарощування плiвок HgCdTe на пiдкладках Al2O3, GaAs, CdTe та KCl. Плiвки отримували методами iмпульсного лазерного осадження та iзоПФЕ. На початкових стадiях росту спостерiгали перехiд вiд аморфної структури до текстурованої полiкристалiчної, аж до появи структури мозаїчного монокристала. Розраховано критичнi розмiри кристалiчних зерен напiвпровiдникових сполук II–VI, подальше зменшення яких приводить до переходу з кристалiчного стану в аморфний. Значення критичних розмiрiв зерен узгоджуються з розмiрами зерен невпорядкованої (аморфної) фази, яка виникає на початковiй стадiї росту епiтаксiйних плiвок HgCdTe на рiзних пiдкладках. By electron diffraction were investigated the initial stages of growth HgCdTe films on substrates Al2O3, GaAs, CdTe and KCl. The films were grown by a pulsed laser deposition and ISO VPE. Observed transition from amorphous structure up to textured polycrystalline and before occurrence of structure of a mosaic monocrystal. Estimative calculation in carried out for the critical sizes of crystalline grains of some semiconductor II–VI compounds, a futher decrease in which leads to a crystalline-amorphous transition. Values of critical grain sizes are in agreement with sizes of the disordered (amorphous) phase appearing at the initial stage of growth of epitaxial HgCdTe films on different substrates.