Електроніка. – 2010. – №681

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/23980

Вісник Національного університету "Львівська політехніка"

У Віснику опубліковані результати наукові-технічних досліджень у галузі технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки та оптоелектроніки, фізики і техніки напівпровідників та напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електронної техніки. Тематика Вісника Національного університету “Львівська політехніка” “Електроніка” охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику “Електроніка” публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені його тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть подавати як співробітники Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи авторів з України друкуються українською мовою. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей.

Вісник Національного університету «Львівська політехніка» : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет «Львівська політехніка» – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2010. – № 681 : Електроніка / відповідальний редактор Д. Заярчук. – 212 с. : іл.

Browse

Search Results

Now showing 1 - 3 of 3
  • Thumbnail Image
    Item
    Технологія отримання віскерів GaAs у відкритому проточному реакторі
    (Видавництво Львівської політехніки, 2010) Большакова, І. А.; Заячук, Д. М.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Шуригін, Ф. М.
    Наведена технологія отримання мікровіскерів GaAs в проточному реакторі. Технологія дає змогу контролювати діаметри віскерів у діапазоні від десятків нанометрів до десятків мікрон. Запропонована модель, яка пояснює основні етапи осадження матеріалу з парової фази. Основними положеннями моделі є механізм пара-рідина-кристал і конкуруючий ріст нанодротин. The technology for obtaining GaAs microwhiskers in flow reactor is presented. The technology allows controlling whiskers diameters in the range from tens of nanometers to tens of microns. The model explaining the basic stages of material deposition from vapour phase is suggested. The basic principles of the model are the vapour-liquid-solid mechanism and competitive nanowires growth.
  • Thumbnail Image
    Item
    Польова характеристика сенсорів магнітного поля на розщеплених холлівських структурах
    (Видавництво Львівської політехніки, 2010) Большакова, І. А.; Голяка, Р. Л.; Марусенкова, Т. А.
    Наведено аналіз польової характеристики сенсорів магнітного поля на розщеплених холлівських структурах. Характеризуючись рядом принципових переваг, зокрема, можливістю інтегрування у трикомпонентні (BX, BY, BZ) зонди магнітного поля з високою просторовою роздільною здатністю, такі розщеплені холлівські структури вимагають глибшого аналізу залежності вихідної напруги сенсора від вектора індукції магнітного поля. Запропоновано модель розщепленої холлівської структури, що описує паразитну магніторезистивну модуляцію польової характеристики, методику дослідження цієї модуляції та її кількісні параметри. Наводиться приклад застосування отриманих результатів під час калібрування трикомпонентних вимірювальних зондів магнітного поля. The work gives an analysis of the field characteristics of magnetic sensors on the splitted Hall structures. Having a number of advantages (including the capability to be integrated into three-component magnetic probes with high spatial resolution), such splitted Hall structures require further analysis of output voltage dependence on magnetic induction vector. Besides, this paper proposes a splitted Hall structure model describing the parasitic magnetoresisitive modulation of the field characteristic, the methodology of this modulation study and its numerical parameters. It is shown how to apply the obtained results when calibrating threecomponent magnetic probes.
  • Thumbnail Image
    Item
    Вплив опромінення високоенергетичними нейтронами та електронами на плівкові сенсори магнітного поля
    (Видавництво Львівської політехніки, 2010) Большакова, І. А.; Єрашок, В. Е.; Макідо, О. Ю.; Марусенков, А. В.; Шуригін, Ф. М.
    Досліджено залежність стабільності параметрів плівкових сенсорів магнітного поля на основі InAs та InSb від температури опромінення. Наведені результати досліджень впливу спектра нейтронів на величину зміни чутливості сенсорів. Показані особливості поведінки параметрів сенсорів на основі багатошарових гетероструктур, опромінених електронами та реакторними нейтронами. The dependence of parameter stability for InAs- and InSb-based film sensors of magnetic field from irradiation temperature has been investigated. Results of the research into the effect of neutron spectrum on the value of sensitivity change for sensors are presented. Features of parameter behaviour for sensors on the basis of multilayer heterostructures irradiated with electrons and reactor neutrons are shown.