Електроніка. – 2010. – №681

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/23980

Вісник Національного університету "Львівська політехніка"

У Віснику опубліковані результати наукові-технічних досліджень у галузі технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки та оптоелектроніки, фізики і техніки напівпровідників та напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електронної техніки. Тематика Вісника Національного університету “Львівська політехніка” “Електроніка” охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику “Електроніка” публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені його тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть подавати як співробітники Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи авторів з України друкуються українською мовою. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей.

Вісник Національного університету «Львівська політехніка» : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет «Львівська політехніка» – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2010. – № 681 : Електроніка / відповідальний редактор Д. Заярчук. – 212 с. : іл.

Browse

Search Results

Now showing 1 - 2 of 2
  • Thumbnail Image
    Item
    Технологія отримання віскерів GaAs у відкритому проточному реакторі
    (Видавництво Львівської політехніки, 2010) Большакова, І. А.; Заячук, Д. М.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Шуригін, Ф. М.
    Наведена технологія отримання мікровіскерів GaAs в проточному реакторі. Технологія дає змогу контролювати діаметри віскерів у діапазоні від десятків нанометрів до десятків мікрон. Запропонована модель, яка пояснює основні етапи осадження матеріалу з парової фази. Основними положеннями моделі є механізм пара-рідина-кристал і конкуруючий ріст нанодротин. The technology for obtaining GaAs microwhiskers in flow reactor is presented. The technology allows controlling whiskers diameters in the range from tens of nanometers to tens of microns. The model explaining the basic stages of material deposition from vapour phase is suggested. The basic principles of the model are the vapour-liquid-solid mechanism and competitive nanowires growth.
  • Thumbnail Image
    Item
    Поведінка рідкісноземельної домішки Eu у монокристалах PbTe, вирощених із розплаву методом Бріджмена
    (Видавництво Львівської політехніки, 2010) Заячук, Д. М.; Микитюк, В. І.; Пашук, А. В.; Шлемкевич, В. В.; Швець, О.
    Досліджено поведінку легуючої домішки рідкісноземельного елементу європію в кристалах PbTe:Eu під час вирощування легованих зливків з розплаву методом Бріджмена. Встановлено закономірності її розподілу вздовж осі легованих кристалічних зливків, а також деякі особливості розподілу поперек кристалів. Показано, що характер концентраційних профілів легуючих домішок Eu можна пояснити сильною залежністю коефіцієнта сегрегації домішки від її концентрації в рідкій фазі, який експоненційно зростає у разі зменшення останньої. Behavior of the rare earth impurity Eu in the PbTe single crystals grown from melt by the Bridgman method is investigated. The regularities of its distribution along of the axis of the doped crystal ingot as well as some peculiarities of distribution across the crystals are ascertained. It is shown that the character of the concentration profiles of the Eu doping impurity may be explained by strong dependence of the impurity coefficient segregation on its concentration in liquid phase, which increases exponentially if the impurity concentration decreases.