Електроніка. – 2014. – №798

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/25648

Вісник Національного університету "Львівська політехніка"

У Віснику опубліковані результати наукові-технічних досліджень у галузі технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки та оптоелектроніки, фізики і техніки напівпровідників та напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електронної техніки. Тематика Вісника Національного університету “Львівська політехніка” “Електроніка” охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику “Електроніка” публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені його тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть подавати як співробітники Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи авторів з України друкуються українською мовою. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей.

Вісник Національного університету «Львівська політехніка» : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет «Львівська політехніка» – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2014. – № 798 : Електроніка / відповідальний редактор Д. Заярчук. – 135 с. : іл.

Browse

Filters

20141

Settings

Author: search.filters.author.Шпотюк, О. Й.

Search Results

Now showing 1 - 1 of 1
  • Thumbnail Image
    Item
    Термоіндуковані кристалізаційні процеси в халькогенідних стеклах Ge-Ga-Se
    (Видавництво Львівської політехніки, 2014) Клим, Г. І.; Шпотюк, О. Й.; Кулик, Б. Я.
    Досліджено термоіндуковані кристалізаційні процеси в халькогенідних стеклах 80GeSe2- 20Ga2Se3 з використанням рентгенівської дифрактометрії, атомно-силової мікроскопії та позитронної анігіляційної спектроскопії. Показано, що спостережувані зміни в дефектній компоненті анігіляційного спектра під час відпалу свідчать про нуклеацію, яка супроводжується агломерацією пустот на початкових етапах термічного відпалу з подальшою структурною фрагментацією великих вільнооб’ємних пустот у більшу кількість пустот меншого розміру за одночасної кристалізації фаз GeGa4Se, Ga2Se3 та GeSe2. Зважаючи на відхилення значень часу життя позитронів tb від відповідних значень для компонентів GeSe2 та Ga2Se3, досліджувані стекла не можна класифікувати як типові псевдобінарні системи. Thermally-induced crystallization processes in 80GeSe2-20Ga2Se3 glass caused by annealing at 380 °C for 10, 25, 50, 80 and 100 h are studied using X-ray diffraction, atomic force microscopy and positron annihilation lifetime spectroscopy. It is shown that observed changes in defect-related component in the fit of experimental lifetime spectra for annealed glasses testifies in a favour of structural fragmentation of larger free volume entities into smaller ones at crystallization of GeGa4Se, Ga2Se3 and GeSe2 phases with preceding nucleation and void agglomeration in the initial stage of annealing. Because of strong deviation in defect-free bulk positron lifetime tb from corresponding additive values proper to boundary constituents, the studied 80GeSe2-20Ga2Se3 glasses cannot be considered as typical pseudo-binary systems.