Електроніка. – 2004. – №514

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/38891

Вісник Національного університету «Львівська політехніка»

У цьому пам’ятному номері Вісника, присвяченому 50-річчю від дня народження відомого українського вченого в галузі фізики і технології матеріалів електронної техніки, доктора фізико-математичних наук, професора, дійсного члена Академії технологічних наук України Андрія Орестовича Матковського (31.05.1954–10.02.2004), поміщено оглядові статті його учнів і співробітників, що підсумовують стан наукових досліджень у тих напрямках, в яких активно працював проф. А. О. Матковський, а також результати оригінальних досліджень, проведених в останні роки під його керівництвом. Тематика Вісника Національного університету «Львівська політехніка» «Електроніка» охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику “Електроніка” публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені цій тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть бути подані як співробітниками Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи друкуються українською мовою.

Вісник Національного університету «Львівська політехніка» : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет «Львівська політехніка». – Львів : Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2004. – № 514 : Електороніка / відповідальний редактор Д. Заячук. – 148 с. : іл.

Browse

Search Results

Now showing 1 - 3 of 3
  • Thumbnail Image
    Item
    Термічне розширення кристала La0.92 Sr0.08 Ga0.92Ti0.08О3
    (Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2004) Півак, Є. В.; Василечко, Л. О.; Матковський, А. О.; Берковскі, М.
    Методом порошкової дифракції високого розділення з використанням синхротронного та рентгенівського випромінювання досліджено термічне розширення кристала La0.92Si0.08Ga0.92Ti0.08O3 (LSGT-8) в великому температурному діапазоні від 12 К до 1203 К. Встановлено, що при температурі Тс~ 303 К відбувається фазовий перехід першого роду з орторомбічної (Ор) структури (просторова група Pbnm, Z= 4) в ромбоедричу (Рд) (просторова група R-3c, Z= 6), який супроводжується зменшенням наведеного об’єму елементарної комірки (AV = -0.09 %). Уточнено параметри елементарних комірок та координати атомів низькотемпературної та високотемпературної фаз у цілому досліджуваному температурному інтервалі. Показано, що термічне розширення структури LSGT-8 має нелінійний та анізотропний характер. Проаналізовано температурні залежності міжатомних віддалей та параметрів деформації перовськітної структури. Thermal expansion of La0.92Sr0.08Ga0.92Ti0.0sO3 (LSGT-8) crystal has been investigated by means of in situ high resolution powder diffraction technique using synchrotron and X-ray radiation in a wide temperature range 12 K-1203 K. The first order phase transition from orthorhombic (space group Pbnm, Z= 4) to rhombohedral structure (space group R-3c, Z= 6) occur around the room temperature (7c = 303 K), which is accompanied with a decreasing of the cell volume (AV= -0.09 %). Lattice parameters and atomic coordinates of low- and high- temperature phases have been refined in the whole temperature range investigated. It was shown, that thermal expansion of LSGT-8 structure displays nonlinear and anysotropic behavior. Analysis of the temperature dependencies of the interatomic distances and perovskite structure deformation parameters has been performed.
  • Thumbnail Image
    Item
    Термічне розширення орторомбічних перовськітів RGaO3 (R=La-Gd)
    (Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2004) Сенишин, А. Т.; Василечко, Л. О.; Матковський, А. О.
    Методом статичної мінімізації енергії комірки, побудованої з парних взаємодій та на основі квазігармонійного наближення, реалізованого в програмному коді GULP, досліджені та передбачені діелектричні властивості, густина матеріалу р , модулі стиску К та зсуву G , температура Дебая 6D, теплоємність &, параметр Грюнайзена у та коефіцієнт термічного розширення а для перовськітів (R=La-Gd) включно з PmGaOj. З аналізу загальної фононної густини станів та її проекцій встановлено, що RGaOj (R=La, Се, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd) подібно до Ndo/jsSmiusGaOj та MgSiOj не є дебаївськими кристалами. Рідкісноземельний атом, галій та кисень домінують у різних частотних діапазонах фононного спектра. Зі зростанням атомного номера R3 діапазон домінування зміщується в низькочастотну область фононного спектра, що зумовлює спадання коефіцієнта термічного розширення в ряді LaGaOj - GdGaOj. Встановлено, що RGaOj (R=La-Gd) та їх тверді розчини з середнім іонним радіусом R3+ (КЧ=9 в шкалі Шеннона) меншим за ~1.177 А можуть бути синтезовані без двійникіа 3 іншого боку, для галатів РЗЕ з середнім іонним радіусом R3+, меншим за ~1.156 А, зростає ймовірність наявності інших фаз. The dielectric properties, the density of material р , the bulk К and shear G modules, the Debye temperature 6D, the heat capacity &, the Gruneisen parameter у and the thermal expansion coefficient a of RGaOj (R=La-Gd) incl. PmGaOj were investigated using the quasiharmonic lattice dynamics based on the free lattice energy minimisation constrained on derived pairwise interactions using the GULP code. By studying the total phonon density of states (DOS) and its projections onto atomic species it was concluded that RGaQ? (R=La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd) similarly to до Ndo.TsSmojsGaOj and MgSi03 cannot be considered as a good Debye-like solids. The rare earth, gallium and oxygen atoms dominate in different frequency regions of the phonon spectrum. With increasing of the R34" atomic number the R3+ contribution region to the total DOS has been shifted to the low-frequency part causes the decreasing of the thermal expansion coefficient in the series LaGaQ? - GdGaOj.lt was concluded that RGaOj (R=La-Gd) and its solid solutions with average R3+ ionic radii in Shannon’s 9-fold coordination number scale smaller ~1.177 A could be synthesized without micro-twins. But from other side, for compounds with average R34^ ionic radii smaller ~1.156 A the presence of the foreign phases is probably.
  • Thumbnail Image
    Item
    Кристалічні структури та фазові перетворення в алюміната Х РЗЕ зі структурою перовськіту
    (Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2004) Василечко, Л. О.; Матковський, А. О.
    Методами in situ низько- та високотемпературної порошкової дифракції високого розділення з використанням синхротронного випромінювання, монокристальної диф¬ракції та термічного аналізу досліджено кристалічні структури та фазові перетворення в алюмінатах рідкісноземельних елементів (РЗЕ) зі структурою перовськіту та деяких твердих розчинів на їх основі. При кімнатній температурі сполуки RA103 мають ромбоедричну, R-Зс (R = La, Pr, Nd), ромбічну, Pbnm (R = Sm -j- Lu, Y) та тетрагональну, 14/mcm (СеАЮз) структури. Серед досліджених алюмінатів РЗЕ спостерігається шість типів структурних фазових перетворень (ФП). Для перших членів ряду сполук RAlOj (R-La, Се, Pr, Nd) характерним є плавний перехід R-Зс - Рт-Зт, тоді як в алюмінатах Sm, Gd та Eu відбувається стрибкоподібний перехід першого роду Pbnm - R-3c. Температури обидвох цих переходів зростають лінійно із зменшенням радіуса катіона РЗЕ. Чотири інші ФП (R-Зс - Ітта, Ітта -14/піст, Ітта - І2/т{С2/т) та 12!т -14/піст) трапляються тільки в СеАЮз та РгАЮз, а також в твердих розчинах на їх основі. Побудовано узагальнену фазову діаграму алюмінатів РЗЕ зі структурою перовськіту. Crystal structures and phase transitions of the perovskite-like RAlOj aluminates and some solid solutions based on them have been investigated by means of/я situ high-resolution powder diffraction technique using synchrotron radiation, single crystal diffraction and thermal analysis. At room temperature the RAIO3 compounds display rhombohedral, R-3c (R=La, Pr, Nd), orthorhombic, Pbnm (R=Sm-j-Lu, Y) and tetragonal, 14lmcm (СеАЮз) structures. Six types of the phase transitions exist in the RAIO3 compounds. Second-order phase transition R-3c - Pm-3m is typical for the first members of RAIO3 compounds (R-La, Ce, Pr, Nd), and First-order transformation Pbnm - R-Зс is observed for SmA103, GdA103 and EuA103. The temperatures of these transitions increase linearly with the decreasing of R3 cation radii. Four other phase transitions: R-3c - Ітта, Imma - 14/mem, Imma -12/m(Cl/m) and 12/m-14/mem have been found only in СеАЮ3, РгАЮ3 and solid solutions based on them. The common phase diagram of the rare-earth aluminates with perovskite structure has bee constructed.